[發明專利]使位于電絕緣材料表面上的半導體層的厚度降低和均勻化的方法

有效

• 申請號: 200710305948.8
• 申請日: 2007-12-28
• 公開（公告）號: CN101241856A
• 公開（公告）日: 2008-08-13
• 發明（設計）人: D·費若;O·里門施奈德;R·瓦利希
• 申請（專利權）人: 硅電子股份公司
• 主分類號: H01L21/306
• 分類號: H01L21/306
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 程大軍

1.一種用于使位于電絕緣材料表面上的半導體層厚度變薄和均勻化的方法，其中將所述半導體層的表面暴露于刻蝕劑的作用下，所述刻蝕劑的氧化還原電位作為材料和半導體層的期望最終厚度的函數來進行調節，以便隨著半導體層的厚度降低，在半導體層表面每單位時間由刻蝕劑進行的材料腐蝕變小，當達到期望厚度時，僅僅為每秒0-10％厚度，其中所述方法在沒有光的作用或外部電壓的施加下實施。

2.權利要求1所述的方法，其中所述半導體層含有一種或多種選自硅、鍺、碳化硅、III/V化合物半導體和II/VI化合物半導體的物質。

3.權利要求1-2之一所述的方法，其中所述刻蝕劑的氧化還原電位通過刻蝕劑的組成來調節。

4.權利要求3所述的方法，其中所述刻蝕劑的氧化還原電位通過選擇刻蝕劑組分來調節。

5.權利要求3所述的方法，其中所述刻蝕劑的氧化還原電位通過刻蝕劑組分的濃度來調節。

6.權利要求5所述的方法，其中所述刻蝕劑的氧化還原電位基本上由其pH來確定，并且其中選擇刻蝕劑組分的濃度以調節適合的pH。

7.權利要求3-6之一所述的方法，其中所述刻蝕劑的氧化還原電位還可通過選擇溫度來調節。

8.權利要求3-7之一所述的方法，其中所述半導體層含有硅，刻蝕劑含有一種或多種氟化合物。

9.權利要求8所述的方法，其中所述刻蝕劑含有氟化氫和氟化物鹽。

10.權利要求9所述的方法，其中所述氟化物鹽是氟化銨。

11.權利要求1-10之一所述的方法，其中所述半導體層由p型摻雜硅構成。

12.權利要求1-11之一所述的方法，其中所述半導體層是SOI晶片的功能層。

13.權利要求1-12之一所述的方法，其中當達到期望最終厚度時，在半導體層表面上每單位時間由刻蝕劑進行的材料腐蝕為0-1nm。