[發(fā)明專利]多晶硅的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710305936.5 | 申請日： | 2007-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN101209841A | 公開（公告）日： | 2008-07-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 張澤龍;李炳一;李永浩;張錫弼 | 申請（專利權(quán)）人： | 泰拉半導(dǎo)體株式會社 |
| 主分類號： | C01B33/021 | 分類號： | C01B33/021 |
| 代理公司： | 永新專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人： | 陳建全 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 韓國;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 多晶 制造 方法 | ||
1.多晶硅的制造方法，其特征在于，包含以下步驟：
(a)在非晶質(zhì)硅上供給含有金屬的源氣體的步驟；
(b)通過調(diào)節(jié)吸附壓力、吸附時間和吸附溫度中的至少一個來使規(guī)定量的源氣體吸附在所述非晶質(zhì)硅上的步驟；
(c)將所述(b)中未吸附于所述非晶質(zhì)硅上的源氣體除去的步驟；
(d)在吸附有源氣體的所述非晶質(zhì)硅上供給輔助氣體的步驟；
(e)通過吸附在所述非晶質(zhì)硅上的源氣體與所述輔助氣體發(fā)生反應(yīng)，從而最終在所述非晶質(zhì)硅上吸附規(guī)定量的金屬的步驟；以及
(f)對吸附有所述金屬的非晶質(zhì)硅進行熱處理的步驟。
2.多晶硅的制造方法，其特征在于，包含以下步驟：
(a)在非晶質(zhì)硅上供給含有金屬的源氣體的步驟；
(b)通過調(diào)節(jié)吸附壓力、吸附時間和吸附溫度中的至少一個來使規(guī)定量的源氣體吸附在所述非晶質(zhì)硅上的步驟；
(c)將所述(b)中未吸附于所述非晶質(zhì)硅上的源氣體除去的步驟；以及
(d)對吸附有所述源氣體的非晶質(zhì)硅進行熱處理的步驟。
3.權(quán)利要求1或2所述的多晶硅的制造方法，其特征在于，所述源氣體含有Ni、Al、Ti、Ag、Au、Co、Sb、Pd、Cu中的任意1個或2個以上。
4.權(quán)利要求3所述的多晶硅的制造方法，其特征在于，所述源氣體為Ni(cp)2或Ni(dmamb)2中的任意一個。
5.權(quán)利要求1所述的多晶硅的制造方法，其特征在于，所述輔助氣體包含H2、NH3等還原性氣體，O2、N2O、H2O、臭氧等氧化性氣體，Ar、N2等不活潑性氣體。
6.權(quán)利要求1或2所述的多晶硅的制造方法，其特征在于，所述吸附溫度為常溫～250℃的范圍。
7.權(quán)利要求1或2所述的多晶硅的制造方法，其特征在于，在所述(b)中，源氣體以覆蓋率小于1的比例吸附在所述非晶質(zhì)硅上。
8.權(quán)利要求1所述的多晶硅的制造方法，其特征在于，在所述(f)中，熱處理溫度為400～700℃，熱處理時間為1～10小時，熱處理氣氛為含有Ar、Ne、He、N2氣體的不活潑性氣體氣氛。
9.權(quán)利要求2所述的多晶硅的制造方法，其特征在于，在所述(d)中，熱處理溫度為400～700℃，熱處理時間為1～10小時，熱處理氣氛為選自含有Ar、Ne、He、N2氣體的不活潑性氣體氣氛，O2、N2O、H2O、臭氧等氧化性氣體氣氛和H2、NH3等還原性氣體氣氛中的至少一個。
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