[發明專利]金屬吸附裝置及方法

無效

• 申請號: 200710305935.0
• 申請日: 2007-12-27
• 公開（公告）號: CN101211763A
• 公開（公告）日: 2008-07-02
• 發明（設計）人: 張澤龍;李炳一;李永浩;張錫弼
• 申請（專利權）人: 泰拉半導體株式會社
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20;H01L21/336
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 陳建全

1.金屬吸附裝置，其是為了通過金屬誘導結晶化方式使硅結晶化而將金屬吸附在非晶質硅上的裝置，其特征在于，其包含：

供給含有金屬的源氣體的源氣體供給部；

供給輔助氣體的輔助氣體供給部；

通過所述源氣體與所述輔助氣體的反應來使金屬吸附在所述非晶質硅上的反應室；以及

通過調節吸附壓力、吸附時間和吸附溫度中的至少一個來控制吸附在所述非晶質硅上的金屬的量的控制部。

2.金屬吸附裝置，其是為了通過金屬誘導結晶化方式使硅結晶化而將金屬吸附在非晶質硅上的裝置，其特征在于，其包含：

供給含有金屬的源氣體的源氣體供給部；

使所述源氣體吸附在所述非晶質硅上的反應室；以及

通過調節吸附壓力、吸附時間和吸附溫度中的至少一個來控制吸附在所述非晶質硅上的金屬的量的控制部。

3.權利要求1或2所述的金屬吸附裝置，其特征在于，所述源氣體含有Ni、Al、Ti、Ag、Au、Co、Sb、Pd、Cu中的任意1個或2個以上。

4.權利要求3所述的金屬吸附裝置，其特征在于，所述源氣體為Ni(cp)₂或Ni(dmamb)₂中的任意一個。

5.權利要求1所述的金屬吸附裝置，其特征在于，所述輔助氣體包含H₂、NH₃等還原性氣體，O₂、N₂O、H₂O、臭氧等氧化性氣體，Ar、N₂等不活潑性氣體。

6.權利要求1或2所述的金屬吸附裝置，其特征在于，所述吸附壓力通過對由所述源氣體供給部供給的源氣體的流量、流入到所述反應室內的氣體的總流量以及從所述反應室中排出的氣體的總流量中的至少一個進行調節來控制。

7.權利要求1或2所述的金屬吸附裝置，其特征在于，所述吸附溫度控制在常溫～250℃的范圍。

8.權利要求1或2所述的金屬吸附裝置，其特征在于，金屬以覆蓋率小于1的比例吸附在所述非晶質硅上。

9.金屬吸附方法，其是為了通過金屬誘導結晶化方式使硅結晶化而將金屬吸附在非晶質硅上的方法，其特征在于，其包含以下步驟：

將非晶質硅配置在反應室內的步驟；

在所述反應室內流入含有金屬的源氣體的步驟；

通過調節吸附壓力、吸附時間和吸附溫度中的至少一個來使規定量的源氣體吸附在所述非晶質硅上的步驟；

將未吸附于所述非晶質硅上的源氣體從所述反應室中排出的步驟；

將輔助氣體流入到所述反應室內的步驟；以及

通過吸附于所述非晶質硅上的源氣體與所述輔助氣體發生反應，從而最終在所述非晶質硅上吸附規定量的金屬的步驟。

10.金屬吸附方法，其是為了通過金屬誘導結晶化方式使硅結晶化而將金屬吸附在非晶質硅上的方法，其特征在于，其包含以下步驟：

將非晶質硅配置在反應室內的步驟；

在所述反應室內流入含有金屬的源氣體的步驟；以及

通過調節吸附壓力、吸附時間和吸附溫度中的至少一個來使規定量的源氣體吸附在所述非晶質硅上的步驟。

11.權利要求9或10所述的金屬吸附方法，其特征在于，所述源氣體含有Ni、Al、Ti、Ag、Au、Co、Sb、Pd、Cu中的任意1個或2個以上。

12.權利要求11所述的金屬吸附方法，其特征在于，所述源氣體為Ni(cp)₂或Ni(dmamb)₂中的任意一個。

13.權利要求9所述的金屬吸附方法，其特征在于，所述輔助氣體包含H₂、NH₃等還原性氣體，O₂、N₂O、H₂O、臭氧等氧化性氣體，Ar、N₂等不活潑性氣體。

14.權利要求9或10所述的金屬吸附方法，其特征在于，所述吸附壓力通過對由所述源氣體供給部供給的源氣體的流量、流入到所述反應室內的氣體的總流量以及從所述反應室中排出的氣體的總流量中的至少一個進行調節來控制。