[發明專利]半導體元件的制造方法

有效

• 申請號: 200710305919.1
• 申請日: 2007-12-28
• 公開（公告）號: CN101304002A
• 公開（公告）日: 2008-11-12
• 發明（設計）人: 張惠林;盧永誠;章勛明
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳晨;鄭特強

1.一種半導體元件的制造方法，包括：

提供基底，具有第一區域以及第二區域，其中該第一區域包括第一介電 材料，且該第二區域包括銅；

在基本無氧的環境下處理該基底，以除去在該第二區域內的銅氧化物； 以及

形成蓋層在該基底上方，其中該蓋層包括第二介電材料，且該第二介電 材料選擇性地在該基底的第二區域上方形成，以致在該基底的第一區域上方 基本無該第二介電材料，其中形成該蓋層的步驟包括化學氣相沉積法，該化 學氣相沉積法在包含硅烷及前驅氣體的氣體環境中進行，該前驅氣體選自由 烷烴及含氮化合物所組成的群組。

2.如權利要求1所述的半導體元件的制造方法，還包括形成SiCN蝕刻 停止層。

3.如權利要求1所述的半導體元件的制造方法，其中該硅烷選自由SiH₄、 Si₂H₆以及Si₃H₈所組成的群組。

4.如權利要求1所述的半導體元件的制造方法，其中該烷烴選自由CH₄、 C₂H₆以及C₃H₈所組成的群組。

5.如權利要求1所述的半導體元件的制造方法，其中該含氮化合物選自 由N₂以及NH₃所組成的群組。

6.如權利要求1所述的半導體元件的制造方法，其中該第二介電材料包 括硅以及至少一選自由碳和氮所組成的群組。

7.如權利要求1所述的半導體元件的制造方法，其中處理該基底的步驟 包括進行等離子體蝕刻將銅氧化物還原成銅。

8.如權利要求1所述的半導體元件的制造方法，還包括沉積蝕刻停止層 在該蓋層之上，該蝕刻停止層的材料包括SiN、SiC、SiCN或前述的組合。

9.如權利要求1所述的半導體元件的制造方法，其中處理該基底以及形 成該蓋層的步驟在相同的設備中進行。

10.一種半導體元件的制造方法，包括：

提供基底，具有暴露的表面，該表面至少部分為銅；

使用等離子體蝕刻該基底的暴露的表面，以使該基底內的銅氧化物化學 性地還原成銅，該等離子體蝕刻在基本無氧的環境下進行，并且該環境存在 氫氣來源，其選自由H₂和NH₃所組成的群組；以及

使用等離子體增強化學氣相沉積法在氣體環境下沉積介電覆蓋物，選擇 性地覆蓋在該基底的暴露的表面為銅的部分之上，該氣體環境包括硅烷及前 驅氣體，該硅烷選自由SiH₄、Si₂H₆以及Si₃H₈所組成的群組，該前驅氣體選 自由CH₄、C₂H₆、C₃H₈、N₂以及NH₃所組成的群組，

其中該等離子體蝕刻步驟以及該沉積步驟在相同的設備中進行。