[發明專利]雪崩光電二極管有效
| 申請號： | 200710305913.4 | 申請日： | 2004-10-25 |
| 公開（公告）號： | CN101232057A | 公開（公告）日： | 2008-07-30 |
| 發明（設計）人： | 柳生榮治;石村榮太郎;中路雅晴 | 申請（專利權）人： | 三菱電機株式會社 |
| 主分類號： | H01L31/107 | 分類號： | H01L31/107;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人： | 許海蘭 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 雪崩 光電二極管 | ||
1.一種雪崩光電二極管，其特征在于：
包括第1電極、和具有電連接到該第1電極的由第1導電型構成的第1半導體層的襯底，在上述襯底上至少層疊了雪崩倍增層、光吸收層和能帶隙比上述光吸收層大的第2半導體層，在上述第2半導體層內形成第2導電型導電區域，將上述第2導電型導電區域電連接到第2電極上，而且，
留下第2導電型導電區域和上述第2導電型導電區域的周圍的第2半導體層的一部分，至少在其外周的襯底上層疊了的層中的光吸收層被除去而形成上述光吸收層的側面，上述光吸收層形成得比上述雪崩倍增層窄。
2.一種雪崩光電二極管，其特征在于：
包括第1電極、和具有電連接到該第1電極的由第1導電型構成的第1半導體層的襯底，在上述襯底上至少層疊了雪崩倍增層、光吸收層和能帶隙比上述光吸收層大的第2半導體層，在上述第2半導體層內形成第2導電型導電區域，將上述第2導電型導電區域電連接到第2電極上，而且，
留下第2導電型導電區域和上述第2導電型導電區域的周圍的第2半導體層的一部分，至少在其外周的襯底上層疊了的層中的光吸收層被除去而形成上述光吸收層的側面，除去比上述雪崩倍增層深的層為止而形成上述側面。
3.如權利要求1或2中所述的雪崩光電二極管，其特征在于：
上述光吸收層形成得比其它的層窄，從而在層間設置臺階差。
4.如權利要求1或2中所述的雪崩光電二極管，其特征在于：
在上述第2導電型導電區域的周圍還形成了第2導電型周邊導電區域。
5.如權利要求1或2中所述的雪崩光電二極管，其特征在于：
在上述側面設置有保護膜。
6.如權利要求1或2中所述的雪崩光電二極管，其特征在于：
在離開上述側面的部位的外周的襯底上層疊了的層中設置槽。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三菱電機株式會社，未經三菱電機株式會社許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/200710305913.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
