[發(fā)明專利]光電陰極、光電倍增管和電子管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710305894.5
• 申請日: 2007-12-28
• 公開（公告）號: CN101211730A
• 公開（公告）日: 2008-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 渡瀬文雄;山下真一;渡邊宏之
• 申請（專利權(quán)）人: 浜松光子學(xué)株式會社
• 主分類號: H01J1/34
• 分類號: H01J1/34;H01J40/06;H01J40/16;H01J40/04;H01J43/06;H01J43/28
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 龍淳

1.一種光電陰極，具有使得具有預(yù)定波長的光入射的光入射面和響應(yīng)于光入射而發(fā)射光電子的光電子發(fā)射面，其特征在于，包括：

支撐基板，具有第一主面和與所述第一主面相對的第二主面；

光電子發(fā)射層，具有第一主面和與所述第一主面相對的第二主面，并含有堿金屬，所述光電子發(fā)射層設(shè)置在所述支撐基板的第二主面上，使得所述光電子發(fā)射層的第一主面面向所述支撐基板的第二主面；和

底層，設(shè)置在所述支撐基板和所述光電子發(fā)射層之間，同時與所述支撐基板的第二主面和所述光電子發(fā)射層的第一主面均直接接觸，所述底層含有鈹元素。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電陰極，其特征在于，所述底層的厚度設(shè)置成使得所述光電子發(fā)射層的厚度和所述底層的厚度的比例落入大于或等于0.1且小于或等于100的范圍內(nèi)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電陰極，其特征在于，所述底層包括氧化鈹和氧化鎂的混合結(jié)晶。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電陰極，其特征在于，所述底層包括氧化鈹和氧化錳的混合結(jié)晶。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電陰極，其特征在于，所述底層包括氧化鈹和氧化釔的混合結(jié)晶。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電陰極，其特征在于，所述底層包括氧化鈹和氧化鉿的混合結(jié)晶。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電陰極，其特征在于，所述底層包括含有氧化鈹?shù)膶雍驮O(shè)置在所述含有氧化鈹?shù)膶雍退鲋位逯g的氧化鉿膜。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電陰極，其特征在于，所述光電子發(fā)射層由銻和堿金屬的化合物構(gòu)成。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電陰極，其特征在于，所述堿金屬含有銫、鉀和鈉中的至少一種。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電陰極，其特征在于，所述支撐基板由傳送入射到其中的具有預(yù)定波長的光的材料構(gòu)成，

其中所述光電陰極包括透射型光電陰極，其中所述支撐基板的第一主面用作光入射面，而所述光電子發(fā)射層的第二主面用作光電子發(fā)射面。

11.一種電子管，其特征在于，包括：

根據(jù)權(quán)利要求10所述的光電陰極；

陽極，收集從所述光電陰極發(fā)射的電子；和

容器，收納所述光電陰極和所述陽極。

12.一種光電倍增管，其特征在于，包括：

根據(jù)權(quán)利要求10所述的光電陰極；

電子倍增部，具有用于對從所述光電陰極發(fā)射的光電子進(jìn)行級聯(lián)倍增的多級倍增電極；

陽極，收集從所述電子倍增部發(fā)射的二次電子；以及

容器，收納所述光電陰極、所述電子倍增部和所述陽極。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電陰極，其特征在于，所述支撐基板由阻礙入射到其中的具有預(yù)定波長的光的材料構(gòu)成，

其中所述光電陰極包括反射型光電陰極，其中所述光電子發(fā)射層的第二主面不僅用作光入射面，還用作光電子發(fā)射面。

14.一種電子管，其特征在于，包括：

根據(jù)權(quán)利要求13所述的光電陰極；

陽極，收集從所述光電陰極發(fā)射的電子；和

容器，收納所述光電陰極和所述陽極。

15.一種光電倍增管，其特征在于，包括：

根據(jù)權(quán)利要求13所述的光電陰極；

電子倍增部，具有用于對從所述光電陰極發(fā)射的光電子進(jìn)行級聯(lián)倍增的多級倍增電極；

陽極，收集從所述電子倍增部發(fā)射的二次電子；和

容器，收納所述光電陰極、所述電子倍增部和所述陽極。