[發明專利]雙向開關模塊

有效

• 申請號: 200710305892.6
• 申請日: 2007-12-28
• 公開（公告）號: CN101211904A
• 公開（公告）日: 2008-07-02
• 發明（設計）人: 大澤通孝;金澤孝光
• 申請（專利權）人: 株式會社日立制作所;株式會社瑞薩科技
• 主分類號: H01L25/00
• 分類號: H01L25/00;H01L25/18;H01L23/488;H01L23/36
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 龍淳

1.一種雙向開關模塊，其具有對多個半導體元件進行組合，并使電流可雙向流過的雙向開關電路，其特征在于，包括：

成為散熱板的至少一塊以上的金屬底板；

第1半導體元件，其具有與所述雙向開關電路的第1節點連接的接合電極，并且載置在所述金屬底板上；和

第2半導體元件，其具有與所述雙向開關電路的第2節點連接的接合電極，并且載置在所述金屬底板上，其中，

所述第1以及第2半導體元件的所述接合電極與所述金屬底板為同一電位，并且，

所述金屬底板與所述各半導體元件的非接合電極分別利用金屬細線進行連接，構成所述雙向開關電路。

2.如權利要求1所述的雙向開關模塊，其特征在于：

所述雙向開關電路具有形成于其一端的第1節點N1、形成于另一端的第2節點N2、以及形成于所述第1節點N1與所述第2節點N2之間的第3節點N12。

3.如權利要求2所述的雙向開關模塊，其特征在于：

所述雙向開關電路包括：在所述第1節點N1與所述第2節點N2之間，夾著所述第3節點N12逆串聯連接的第1半導體開關以及第2半導體開關；與所述第1半導體開關逆并聯連接的第1二極管；和與所述第2半導體開關逆并聯連接的第2二極管。

4.如權利要求3所述的雙向開關模塊，其特征在于：

所述第1半導體開關以及第2半導體開關的所述第3節點N12側電極是非接合電極的陰極或發射極。

5.如權利要求4所述的雙向開關模塊，其特征在于：

所述金屬底板包括持有與所述第1節點N1對應的電位的第1金屬底板，以及持有與所述第2節點N2對應的電位的第2金屬底板。

6.如權利要求5所述的雙向開關模塊，其特征在于：

在所述第1金屬底板上，以所述第1半導體開關的作為接合電極的漏電極或者集電極為接合面進行載置，并且以所述第1二極管的作為接合電極的陰極為接合面進行載置，在所述第2金屬底板上，以所述第2半導體開關的作為接合電極的漏電極或者集電極作為接合面進行載置，并且，以所述第2二極管的作為接合電極的陰極作為接合面進行載置。

7.如權利要求3所述的雙向開關模塊，其特征在于：

所述第1半導體開關以及第2半導體開關的所述第3節點N12側電極是作為接合電極的漏電極或者集電極。

8.如權利要求7所述的雙向開關模塊，其特征在于：

所述金屬底板還包含持有與所述第3節點N12對應的電位的第3金屬底板。

9.如權利要求8所述的雙向開關模塊，其特征在于：

在所述第3金屬底板上，以所述第1半導體開關以及第2半導體開關的作為接合電極的漏電極或者集電極為接合面進行載置，并且以所述第1二極管以及所述第2二極管的作為接合電極的陰極為接合面進行載置。

10.如權利要求9所述的雙向開關模塊，其特征在于：

所述第1半導體開關以及第2半導體開關均為MOSFET、IGBT或者雙極型晶體管的任意一個。