[發(fā)明專利]制造半導體器件的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710305598.5
• 申請日: 2007-12-27
• 公開（公告）號: CN101211767A
• 公開（公告）日: 2008-07-02
• 發(fā)明（設計）人: 李斗成
• 申請（專利權）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H01L21/266
• 分類號: H01L21/266
• 代理公司: 隆天國際知識產(chǎn)權代理有限公司
• 代理人: 馮志云

1.一種制造半導體器件的方法，包括以下步驟：

在襯底上形成絕緣層；

通過選擇性地蝕刻所述絕緣層，而部分地暴露所述襯底；

將蝕刻后的所述絕緣層用作離子注入掩模，將離子注入到暴露的所述襯底內(nèi)；以及

從注入有離子的所述襯底上去除蝕刻后的所述絕緣層。

2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中部分地暴露所述襯底的步驟包括以下步驟：

在所述絕緣層上形成光致抗蝕劑層圖案；以及

將所述光致抗蝕劑層圖案用作蝕刻掩模，蝕刻所述絕緣層的暴露部分，而部分地暴露所述襯底。

3.根據(jù)權利要求2所述的方法，還包括以下步驟：

從蝕刻后的所述絕緣層上去除所述光致抗蝕劑層圖案。

4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述絕緣層包括氮化物層。

5.根據(jù)權利要求3所述的方法，其中所述絕緣層包括氮化物層。

6.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中在大于10¹⁵離子/cm²的密度下注入所述離子。

7.根據(jù)權利要求3所述的方法，其中在大于10¹⁵離子/cm²的密度下注入所述離子。

8.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述襯底的暴露部分包括CMOS圖像傳感器的晶體管區(qū)域。

9.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中去除所述光致抗蝕劑層圖案的步驟包括：從蝕刻后的所述絕緣層的表面充分去除所有的光致抗蝕劑。

10.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述襯底的暴露部分處于所述半導體器件的單元區(qū)域內(nèi)。

11.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述襯底由蝕刻后的所述絕緣層覆蓋的區(qū)域處于所述半導體器件的外圍區(qū)域內(nèi)。

12.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中選擇性地蝕刻所述絕緣層的步驟包括：干蝕刻所述絕緣層。

13.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中去除蝕刻后的所述絕緣層的步驟包括：濕蝕刻蝕刻后的所述絕緣層。

14.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述襯底包括位于其上表面的多晶硅層。

15.根據(jù)權利要求1所述的方法，還包括以下步驟：在去除蝕刻后的所述絕緣層后，圖案化所述襯底以形成柵極結構。

16.根據(jù)權利要求4所述的方法，其中所述絕緣層包括氮化硅層。

17.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述襯底包括：

半導體晶片；

淺溝槽隔離結構，位于所述半導體晶片內(nèi)；

柵極氧化物層，位于所述半導體晶片上或上方；以及

多晶硅層，位于所述柵極氧化物層上。

18.根據(jù)權利要求17所述的方法，其中將所述離子注入到所述多晶硅層內(nèi)。

19.根據(jù)權利要求18所述的方法，還包括以下步驟：在去除蝕刻后的所述絕緣層之后，圖案化所述多晶硅層，以在CMOS圖像傳感器的晶體管區(qū)域中形成柵極結構。

20.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中離子注入的步驟包括注入磷離子。