[發(fā)明專利]包含有青色型和黃色型顏色特性的像素的彩色圖像傳感器無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710305205.0 | 申請日: | 2007-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN101236981A | 公開(公告)日: | 2008-08-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 淺羽哲朗 | 申請(專利權(quán))人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N9/04 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 | 代理人: | 陶鳳波 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 含有 青色 黃色 顏色 特性 像素 彩色 圖像傳感器 | ||
1.一種圖像傳感器,包括:
主光探測器,相鄰于構(gòu)造為接收入射到其上的可見光的半導體襯底的表面的一部分延伸;以及
次光探測器,掩埋在所述半導體襯底中,所述次光探測器具有電耦合至在第一電壓偏置的所述圖像傳感器的節(jié)點的第一電荷承載端子。
2.如權(quán)利要求1所述的圖像傳感器,其中所述次光探測器構(gòu)造為接收穿過所述主光探測器的可見光。
3.如權(quán)利要求2所述的圖像傳感器,其中所述主光探測器包括第一光電二極管;且其中所述圖像傳感器還包括傳輸晶體管,所述傳輸晶體管具有電連接至所述第一光電二極管的陰極的源極/漏極區(qū)。
4.如權(quán)利要求2所述的圖像傳感器,其中所述次光探測器包括具有電連接至所述節(jié)點的陰極的第二光電二極管。
5.如權(quán)利要求3所述的圖像傳感器,其中所述次光探測器包括第二光電二極管,所述第二光電二極管具有電連接至所述節(jié)點的陰極以及與所述第一光電二極管的陰極形成P-N整流結(jié)的陽極。
6.如權(quán)利要求5所述的圖像傳感器,其中所述節(jié)點是電源節(jié)點。
7.如權(quán)利要求5所述的圖像傳感器,其中所述第二光電二極管的陰極由所述半導體襯底內(nèi)的N型半導體區(qū)電連接至所述節(jié)點。
8.如權(quán)利要求4所述的圖像傳感器,其中所述第二光電二極管的陰極包括用作所述第二光電二極管的陽極的P型襯底區(qū)內(nèi)的掩埋N型層。
9.如權(quán)利要求2所述的圖像傳感器,其中所述主光探測器包括第一光電二極管;且其中所述圖像傳感器還包括傳輸晶體管,所述傳輸晶體管具有電連接至所述第一光電二極管的陰極的第一源極/漏極區(qū)和用作所述圖像傳感器內(nèi)的浮動擴散區(qū)的第二源極/漏極區(qū)。
10.一種圖像傳感器,包括:
半導體襯底;以及
所述半導體襯底內(nèi)的像素的2×2陣列,所述像素的2×2陣列包括:
具有不同的光收集特性的第一和第二像素,所述第一像素包括:
相鄰于半導體襯底的表面的第一部分延伸的主光探測器;以及
掩埋在所述半導體襯底內(nèi)的次光探測器,所述次光探測器具有電耦合至在第一電壓偏置的所述第一像素的節(jié)點的第一電荷承載端子;以及
具有等同的光收集特性的第三和第四像素。
11.如權(quán)利要求10所述的圖像傳感器,其中所述次光探測器構(gòu)造為接收穿過所述主光探測器的可見光。
12.如權(quán)利要求11所述的圖像傳感器,其中所述主光探測器包括第一光電二極管;且其中所述第一像素還包括傳輸晶體管,所述傳輸晶體管具有電連接至所述第一光電二極管的陰極的源極/漏極區(qū)。
13.如權(quán)利要求11所述的圖像傳感器,其中所述次光探測器包括具有電連接至所述節(jié)點的陰極的第二光電二極管。
14.如權(quán)利要求12所述的圖像傳感器,其中所述次光探測器包括第二光電二極管,所述第二光電二極管具有電連接至所述節(jié)點的陰極以及與所述第一光電二極管的陰極形成P-N整流結(jié)的陽極。
15.如權(quán)利要求14所述的圖像傳感器,其中所述節(jié)點是電源節(jié)點。
16.如權(quán)利要求13所述的圖像傳感器,其中所述第二光電二極管的陰極包括用作所述第二光電二極管的陽極的P型襯底區(qū)內(nèi)的掩埋N型層。
17.如權(quán)利要求10所述的圖像傳感器,其中所述第二像素包括:
相鄰于半導體襯底的表面的第二部分延伸的光探測器;以及
在所述表面的第二部分上的可見光吸收層。
18.如權(quán)利要求17所述的圖像傳感器,其中所述可見光吸收層包括多晶硅。
19.如權(quán)利要求18所述的圖像傳感器,其中所述可見光吸收層具有從約1000到約4000的范圍內(nèi)的厚度。
20.一種圖像傳感器,包括:
像素的鑲嵌圖案,所述像素的鑲嵌圖案具有散布在具有白色顏色特性的像素之間的相等數(shù)目的無濾色器青色型像素和黃色型像素。
21.如權(quán)利要求20所述的圖像傳感器,其中所述像素的鑲嵌圖案包括散布在N個黃色型像素和2N個具有白色顏色特性的像素之間的N個青色型像素,這里N為正整數(shù)。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





