[發明專利]一種應用于硅太陽能電池的擴散工藝

有效

• 申請號: 200710304344.1
• 申請日: 2007-12-27
• 公開（公告）號: CN101217170A
• 公開（公告）日: 2008-07-09
• 發明（設計）人: 勵旭東;宋爽;勾憲芳;吳鑫;孫秀菊
• 申請（專利權）人: 北京市太陽能研究所有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/223
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐寧

1.一種應用于硅太陽能電池的擴散工藝，其擴散步驟主要分為兩步，具體包括：

(1)進行第一次擴散：將硅片放入擴散爐中，同時通入大氮、小氮、氧氣，擴散溫度在800～860℃，時間為15～30分鐘；

(2)將擴散爐溫度升至870～920℃，并將硅片放置10～30分鐘進行再分布；

(3)進行第二次擴散：擴散溫度在870～920℃，時間為1～10分鐘；

(4)擴散過程結束。擴散爐降溫，并將硅片取出。

2.如權利要求1所述的一種應用于硅太陽能電池的擴散工藝，其特征在于：通過調節擴散濃度，調節橫向電阻以及擴散區和柵線間的接觸電阻。