[發(fā)明專利]一種天線太陽(yáng)能電池及其制備方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710304104.1 | 申請(qǐng)日: | 2007-12-25 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101211991A | 公開(kāi)(公告)日: | 2008-07-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 高杰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 高杰 |
| 主分類號(hào): | H01L31/04 | 分類號(hào): | H01L31/04;H01L31/042;H01L31/18 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 265711山東省*** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 天線 太陽(yáng)能電池 及其 制備 方法 | ||
1.一種天線太陽(yáng)能電池,主要包括基底和光電轉(zhuǎn)化層,其特征在于所述基底由表面與二氧化硅薄膜的附著力為1×103N/cm2以上的非導(dǎo)電材料構(gòu)成;所述光電轉(zhuǎn)化層排布在基底上表面,主要由電池單元陣列、主電極以及填充其間的二氧化硅構(gòu)成,電池單元陣列的正負(fù)電極分別與正負(fù)主電極相連,并且外接與正負(fù)輔助電極相連,正負(fù)輔助電極分別外接與正負(fù)主電極相連;所述電池單元陣列是由電池單元組成的并聯(lián)陣列串聯(lián)后再并聯(lián)而成,其中電池單元是由單個(gè)寬頻接收天線和與其相鄰的次級(jí)電極以及將次級(jí)電極與寬頻接收天線相連的橋式整流電路構(gòu)成,所述橋式整流電路由MIM二極管組成,MIM二極管直接連在天線輸出端上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線太陽(yáng)能電池,其特征在于所述基底為硅片。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線太陽(yáng)能電池,其特征在于所述寬頻接收天線是領(lǐng)結(jié)形天線,其領(lǐng)結(jié)片材料為金屬C,領(lǐng)結(jié)角為60°~120°,單個(gè)領(lǐng)結(jié)片長(zhǎng)度150~500nm,兩個(gè)領(lǐng)結(jié)片尖端之間的相對(duì)距離為10~30nm,領(lǐng)結(jié)形天線的厚度為50~150nm;所述次級(jí)電極為排布在領(lǐng)結(jié)型天線上下兩側(cè)的金屬條,次級(jí)電極延伸方向與領(lǐng)結(jié)型天線兩個(gè)領(lǐng)結(jié)片尖端連線方向相一致;所述次級(jí)電極的金屬條寬度為20~100nm,厚度與所述領(lǐng)結(jié)型天線厚度相同;領(lǐng)結(jié)形天線與相鄰次級(jí)電極圍成的區(qū)域內(nèi)由次級(jí)電極金屬條向空白處延伸填充,次級(jí)電極邊緣與領(lǐng)結(jié)片邊緣之間留有間隙,間隙寬度為14~50nm;所述次級(jí)電極材料同領(lǐng)結(jié)片材料一致;
所述領(lǐng)結(jié)形天線的每個(gè)領(lǐng)結(jié)片尖端與相鄰兩側(cè)的次級(jí)電極之間分別接有MIM二極管,MIM二極管絕緣層厚度小于等于5nm,二極管金屬層與絕緣層的接觸面積為36~400nm2。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的天線太陽(yáng)能電池,其特征在于所述領(lǐng)結(jié)形天線領(lǐng)結(jié)角為80°~100°,單個(gè)領(lǐng)結(jié)片長(zhǎng)度200~300nm,兩個(gè)領(lǐng)結(jié)片尖端之間的相對(duì)距離為15~25nm;領(lǐng)結(jié)形天線的厚度為80~100nm;所述次級(jí)電極金屬條的寬度為30~60nm,所述次級(jí)電極邊緣與領(lǐng)結(jié)片邊緣之間的間隙寬度為20~30nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的天線太陽(yáng)能電池,其特征在于所述領(lǐng)結(jié)形天線的領(lǐng)結(jié)片上表面生長(zhǎng)有一層絕緣層薄膜,優(yōu)選為二氧化硅;絕緣層厚度不超過(guò)5nm,優(yōu)選為0.5~4nm;每個(gè)領(lǐng)結(jié)片的尖端分別與兩側(cè)的次級(jí)電極之間橋搭有窄金屬條,所述窄金屬條橋搭在次級(jí)電極金屬上表面和天線領(lǐng)結(jié)片絕緣層的上表面,窄金屬條與天線領(lǐng)結(jié)片絕緣層的搭接部分面積為36-400nm2,優(yōu)選為250~260nm2;窄金屬條的寬度為6~43nm,優(yōu)選為10~20nm;窄金屬條厚度為20~100nm,優(yōu)選為30~50nm;所述電池單元中領(lǐng)結(jié)形天線的領(lǐng)結(jié)片尖端與兩側(cè)相鄰的次級(jí)電極之間共橋搭有四個(gè)所述窄金屬條,同一次級(jí)電極一側(cè)的窄金屬條材料相同,但同一電池單元不同次級(jí)電極連接的窄金屬條材料不同,分別為金屬A和金屬B;所述的金屬A、B、C滿足如下條件:①電阻率均小于等于1×10-7Ω·m;②三種金屬材料的功函數(shù)關(guān)系符合f(A)>f(C)>f(B)或者f(B)>f(C)>f(A)的條件。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線太陽(yáng)能電池,其特征在于所述電池單元陣列由如下方式構(gòu)成:先由若干個(gè)所述電池單元按照其次級(jí)電極延伸方向排布,并將相鄰電池單元的同側(cè)次級(jí)電極連通,構(gòu)成電池單元的并聯(lián)陣列,電池單元并聯(lián)陣列中,兩個(gè)相鄰電池單元之間的間距為10~500nm,優(yōu)選為30~100nm;將以上所述的若干個(gè)電池單元的并聯(lián)陣列通過(guò)相鄰陣列共享一條次級(jí)電極的方式按照垂直于次級(jí)電極延伸方向排布而構(gòu)成一個(gè)串聯(lián)陣列;再將以上所述若干串聯(lián)陣列在主電極之間按照主電極延伸的方向排布并聯(lián)后構(gòu)成整個(gè)電池單元陣列;串聯(lián)陣列最外側(cè)的兩個(gè)次級(jí)電極同時(shí)也分別是該串聯(lián)陣列的正、負(fù)電極,其中串聯(lián)陣列正電極一端與正主電極相連,串聯(lián)陣列負(fù)電極一端與負(fù)主電極相連,電池串聯(lián)陣列中的其他次級(jí)電極都不與主電極相連;所述串聯(lián)陣列的正、負(fù)電極,其不與主電極相連的一端分別外接與正、負(fù)輔助電極相連。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





