[發明專利]用于光學顯微鏡觀察蛋白質晶體蝕刻的樣品池

無效

• 申請號: 200710304099.4
• 申請日: 2007-12-25
• 公開（公告）號: CN101251470A
• 公開（公告）日: 2008-08-27
• 發明（設計）人: 戴國亮;劉興宇
• 申請（專利權）人: 中國科學院力學研究所
• 主分類號: G01N21/03
• 分類號: G01N21/03;G01N1/28;G01N33/48
• 代理公司: 北京中創陽光知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 尹振啟

技術領域

本發明涉及一種晶體蝕刻樣品池，尤其是一種用于光學顯微鏡觀察蛋白質晶體蝕刻的樣品池。

背景技術

蛋白質結晶是采用X射線或中子衍射方法進行結構分析的第一步，生長溶液的純度是顯著影響晶體質量的重要因素之一。與無機晶體生長溶液相比，即使在商品化高純度的蛋白質晶體生長溶液中，仍含有大量的雜質。結晶過程中，它們吸附在晶體表面，顯著影響晶體形貌、成核、生長動力學、衍射性質及晶體質量。對于與結晶蛋白分子結構相關的雜質分子而言，其結構和物理性質與結晶蛋白分子相似，由于目前純化技術的限制，對它們的分離非常困難。此類雜質的含量一般不大，屬于微量雜質。但即使其含量較低，也有數量眾多的雜質分子吸附到基質晶體上而在晶體內產生點缺陷，大大降低了蛋白質晶體質量，給解析蛋白質結構帶來了一定的困難。

目前對微量雜質進行研究的方法主要有高效液相色譜法、電泳法、熒光法等。高效液相色譜和電泳法只能得到定性結果，且實驗過程對蛋白質晶體具有破壞性，無法原位實時獲得微量雜質的變化情況。熒光法為非破壞性的方法，雖然所得結果為定量結果，但操作極其繁瑣，實驗過程耗時長，且熒光法無法克服的缺陷是，采用此法對雜質的最小濃度有一定的要求，雜質含量較低時無法采用此法進行觀察和研究。故熒光法在實際應用時有一定的限制。

針對此現狀，最近開始有人采用顯微術結合蝕刻法進行研究。2004年，日本學者本多對溶菌酶晶體蝕刻后利用原子力顯微鏡在晶體的{110}表面觀察到三種類型的蝕刻坑：平底、深平底和尖底蝕刻坑。他們的結果顯示溶菌酶晶體中微量雜質的數量與平底蝕刻坑的數量之間有一定的關聯性。他們認為利用蝕刻法得到的蝕刻坑的形狀和密度等結果可以分析并了解雜質的吸附動力學，從而研究雜質對晶體生長的影響。但是，由于原子力顯微鏡法屬于接觸式的研究方法，針尖必然和蛋白質晶體的表面發生接觸，從而干擾了雜質分子在蛋白質晶體表面的吸附。因此所得結果在一定程度上與實際情況有偏差。針對此情況，采用非接觸式的光學顯微鏡進行觀察是一個較好的選擇。蝕刻過程中產生的蝕刻坑的大小在微米量級，屬于光學顯微鏡的觀察范圍。因此可以通過光學顯微鏡來觀察蛋白質晶體表面的平底蝕刻坑的變化情況。考慮到平底蝕刻坑的主要來源為樣品中的雜質，如果對含有雜質的蛋白質晶體進行蝕刻，就可以通過統計平底蝕刻坑的密度和在晶體表面的分布推導出晶體生長過程中雜質在晶體中的結合和分布情況。

由于在樣品池中培養晶體時，在不同的生長條件下雜質在晶體上的吸附和發布情況有所不同，研究時通常通過更換蛋白質生長溶液來改變晶體的生長條件。在對蛋白質晶體進行蝕刻時，需要對同一蛋白質晶體反復進行生長——蝕刻——再生長——再蝕刻，這需要方便且迅速更換不同的蛋白質生長溶液。然而，在更換蛋白質生長溶液時，如果蛋白質晶體在空氣中的暴露時間過程就會影響晶體的生長，從而對后續的研究產生不良影響，因此，如何方便且迅速更換蛋白質生長溶液，以減少蛋白質晶體暴露在空氣中的時間是利用蝕刻法來研究蛋白質晶體所存在的問題。

發明內容

針對現有技術存在的問題，本發明的目的在于提供一種可方便且迅速更換蛋白質生長溶液，以減少蛋白質晶體暴露在空氣中時間的一種用于光學顯微鏡觀察蛋白質晶體蝕刻的樣品池。

為實現上述目的，本發明一種用于光學顯微鏡觀察蛋白質晶體蝕刻的樣品池包括樣品池本體、上玻片和下玻片，其中樣品池本體為矩形池狀結構并固定設置在上玻片和下玻片之間，樣品池本體的兩個短邊上分別設置有一缺口。

進一步，所述缺口設置在所述矩形的一對對角上。

進一步，所述上玻片和下玻片的外徑均大于所述樣品池的外徑，從而上玻片和下玻片能完全覆蓋所述樣品池的上下表面。

進一步，所述樣品池本體與上玻片和下玻片之間通過成分為硅聚合物的膠粘接固定。

進一步，所述樣品池本體為不透明的聚苯乙烯制成，所述上玻片和下玻片為光學玻璃制成。

本發明樣品池中的蛋白質生長溶液可以方便且迅速更換，從而使蛋白質晶體在不同生長條件下生長，并且同時可以用光學顯微鏡研究蛋白質晶體蝕刻過程，特別可以研究不同生長溶液條件下的蛋白質晶體的蝕刻過程。

附圖說明

圖1為本發明結構剖視圖；

圖2為本發明分解示意圖。

具體實施方式