[發明專利]一種Post-CMOS電容式硅基微傳聲器及其制備方法

有效

• 申請號: 200710303971.3
• 申請日: 2007-12-24
• 公開（公告）號: CN101472212A
• 公開（公告）日: 2009-07-01
• 發明（設計）人: 張軼銘;陳兢
• 申請（專利權）人: 北京大學
• 主分類號: H04R19/01
• 分類號: H04R19/01;H04R19/04;B81C1/00
• 代理公司: 北京君尚知識產權代理事務所(普通合伙）
• 代理人: 賈曉玲

1.一種Post-CMOS電容式硅基微傳聲器的制備方法，所述Post-CMOS電容式硅基微 傳聲器包括一硅襯底、帶有引出電極的振動膜和穿孔背極板；在所述硅襯底上設有一絕緣 層，在所述硅襯底的底面設有一缺口，該缺口的深度至絕緣層；所述穿孔背極板直接設置 在所述絕緣層上，在所述缺口的上方，直接搭接一帶有引出電極的振動膜；所述穿孔背極 板與所述振動膜之間設有一空氣隙；其特征在于，所述制備方法的步驟包括：

1)選用硅片做襯底，刻蝕硅襯底形成一背腔；

2)在硅襯底上制備絕緣層；

3)在所述絕緣層上通過濺射或蒸發形成低應力金屬振動膜；

4)在所述振動膜上濺射金屬犧牲層；

5)正面淀積金屬作為電鍍的籽晶層；

6)正面電鍍形成金屬背極板；

7)籽晶層腐蝕液去除所述籽晶層；

8)硅襯底背面刻蝕硅到絕緣層；

9)用絕緣層腐蝕液刻蝕硅襯底背面裸露的絕緣層；

10)腐蝕犧牲層，去離子水清洗，風干，完成犧牲層釋放，形成電容式硅基微傳聲器。

2.如權利要求書1所述的制備方法，其特征在于：所述步驟1)具體包括如下步驟：

a)硅襯底雙面氧化，熱生長二氧化硅；

b)雙面低壓化學氣相淀積LPCVD氮化硅作為抗KOH腐蝕層；

c)背面光刻背腔圖形，反應離子刻蝕RIE選擇性去除表面的氮化硅和二氧化硅，此時 硅片正面及背面其他部分仍由氮化硅保護；

d)KOH腐蝕或ICP刻蝕體硅，形成背腔；

e)HF腐蝕正面及背面所有剩余的氮化硅和二氧化硅。

3.如權利要求書1所述的制備方法，其特征在于：步驟3)所述金屬為鈦。

4.如權利要求書1所述的制備方法，其特征在于：步驟4)所述金屬為鋁。

5.如權利要求書1所述的制備方法，其特征在于：步驟6)所述金屬為銅、鎳或金。