[發明專利]減少在非易失性存儲設備和相關設備中的寫時間的方法

有效

• 申請號: 200710303586.9
• 申請日: 2007-12-13
• 公開（公告）號: CN101295543A
• 公開（公告）日: 2008-10-29
• 發明（設計）人: 金善券;李炳勛
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 錢大勇

技術領域

本發明涉及存儲設備及相關的操作方法，特別地涉及非易失性存儲設備及相 關的操作方法。

背景技術

在沒有電源的情況下，基于半導體存儲設備保持數據的能力，可以將半導體 存儲設備分為易失性和非易失性類型。易失性存儲設備可以包括靜態和動態隨機 存取存儲器，(也就是SRAM和DRAM)，而非易失性存儲設備可以包括只讀存儲 器(ROM)。ROM可以具有多種類型，例如可擦除和可編程ROM(EPROM)、 電EPROM(EEPROM)、閃存，等等。

非易失性存儲設備可提供多種優勢，因為它們可以提供更小的尺寸、更低的 能量消耗，和/或高級的讀/寫性能。例如，可將閃存用于向便攜式設備提供芯上存 儲器，所述便攜式設備可能需要相對快速的數據更新，例如蜂窩式電話、數碼相 機、音頻/視頻記錄器、調制解調器、智能卡，等等。

可能需要向某些非易失性存儲設備提供高于電源電壓的電壓，在下文中，將 所述電壓稱為“高電壓”，例如，采用F-N隧道、源極端溝道熱電子注入等機制的 寫操作。雖然可以從電源電壓產生所述高電壓，但是產生所要求的高電壓或目標 電壓電平可能要花費時間，在此也將其稱為“建立時間”。一旦所述高電壓達到目標 電平，可將其施加到一選定的存儲單元(或選定的多個存儲單元)一段預定的時 間，在此也將其稱為“寫時間”。寫操作可以包括編程和擦除操作。在執行了寫操作 之后，可以將施加到一選定的存儲單元(或選定的多個存儲單元)的所述高電壓 放電一段預定的時間，在此也將其稱為“放電時間”。圖1圖示了在如上所述的寫操 作期間高電壓的波形變化。如圖1所示，如果執行連續的寫操作，可以重復進行 包括建立時間、寫時間和放電時間的上述過程。

因此，當連續寫入存儲設備的數據量和/或連續寫周期的數量增加時，管理寫 時間可能變得日益重要。

發明內容

根據本發明的一些實施例，一種操作非易失性存儲設備的方法包括在連續寫 操作的執行之間的時期，對于編程和/或擦除所述非易失性存儲設備的存儲單元 將寫電壓維持在預定電壓電平。在一些實施例中，作為對開始寫命令的響應，可 以激活在預定電壓電平上的寫電壓，并且，響應于指示連續寫命令的信號，可以 阻止寫電壓的放電。

根據本發明的其它實施例，一種用于向非易失性存儲設備寫入數據的方法可 以包括響應于指示連續寫命令的信號，激活寫加速使能信號；響應于所述寫加速 使能信號和開始寫命令，產生寫電壓；以及響應于所述寫加速使能信號的激活， 在連續寫操作的執行及其之間的時期，連續地將寫電壓維持在預定電壓電平。

在一些實施例中，響應于所述寫加速使能信號的激活，在連續寫操作的執行 之間的時期，可以阻止所述寫電壓的放電。

在其它的實施例中，所述方法可以進一步包括響應于指示所述連續寫操作結 束的信號，使所述寫加速使能信號失效，并且響應于所述寫加速使能信號，中斷 所述寫電壓的產生。

在一些實施例中，所述連續寫操作可以包括編程和/或擦除操作。

在其它實施例中，當所述連續寫操作對于編程操作時，可以向所述非易失性 存儲設備的源極線提供所述寫電壓。

在一些實施例中，當所述連續寫操作為擦除操作時，可以向所述非易失性存 儲設備的字線提供所述寫電壓。

在其它實施例中，指示連續寫命令的所述信號可以是連續寫開始命令。

在一些實施例中，指示所述連續寫命令的所述信號可以是從外部設備提供的 標志信號。

在其它實施例中，所述方法可以進一步包括在所述連續寫操作的執行期間， 響應于尋址的改變，檢測向下一頁寫入的命令，響應檢測到的向下一頁寫入的命 令，中斷向前一頁存儲單元提供的寫電壓，存儲至少一部分向前一頁存儲單元提 供的寫電壓，在存儲了向前一頁存儲單元提供的寫電壓之后，將來自前一頁存儲 單元的殘余電壓放掉，并且連同所述存儲的寫電壓一起向下一頁的存儲單元提供 寫電壓。

在一些實施例中，所述方法可以進一步包括響應于所述寫加速使能信號和所 述寫命令，為所述連續寫操作產生寫電壓。

在其它實施例中，當所述寫加速使能信號被無效時，中斷所述寫電壓的產生。

在一些實施例中，當對應于下一頁的所述連續寫操作的最后一個操作結束時， 將所述寫電壓放電。