[發明專利]磁疇型信息存儲器件及其制造方法

有效

• 申請號: 200710303536.0
• 申請日: 2007-12-06
• 公開（公告）號: CN101241754A
• 公開（公告）日: 2008-08-13
• 發明（設計）人: 林志慶;左圣熏
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C11/15
• 分類號: G11C11/15
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種信息存儲器件，包括：

沿第一方向延伸的襯底；

在該襯底上沿第一方向延伸的磁性層，該磁性層包括被多個可移動磁疇壁分開的多個磁疇，該磁性層包括與所述第一方向基本垂直地延伸的多個磁性層溝槽，在所述多個溝槽中的每個下面該磁性層的下表面向下突出；以及

用于移動所述可移動磁疇壁的功率單元。

2.如權利要求1所述的信息存儲器件，其中該多個磁性層溝槽是等間距的。

3.如權利要求1所述的信息存儲器件，其中該多個磁性層溝槽隨深度而變窄。

4.如權利要求1所述的信息存儲器件，其中該多個磁性層溝槽是V形。

5.如權利要求1所述的信息存儲器件，其中該多個磁性層溝槽的深度約為2nm到50nm。

6.如權利要求2所述的信息存儲器件，其中該等間距約為5nm到1000nm。

7.如權利要求1所述的信息存儲器件，其中該多個磁性層溝槽的最大寬度約為2nm到250nm。

8.如權利要求1所述的信息存儲器件，其中該襯底包括多個襯底溝槽，其位置與該磁性層溝槽對應。

9.如權利要求8所述的信息存儲器件，其中該多個襯底溝槽隨深度而變窄。

10.一種制造磁疇型信息存儲器件的方法，該磁疇型信息存儲器件具有溝槽，該方法包括：

在襯底上形成磁性層，該磁性層具有多個磁性層溝槽。

11.如權利要求10所述的方法，還包括：在該襯底上形成該磁性層前，在該襯底中形成多個襯底溝槽，其中該襯底中的多個襯底溝槽形成所述多個磁性層溝槽。

12.如權利要求11所述的方法，其中該襯底溝槽用納米壓印法形成。

13.如權利要求11所述的方法，其中形成所述多個襯底溝槽包括用母模壓印該襯底并移去所述母模，所述母模在其下表面上具有多個突起。

14.如權利要求13所述的方法，其中該突起隨深度而變窄。

15.如權利要求10所述的方法，其中該多個磁性層溝槽隨深度而變窄。

16.如權利要求11所述的方法，其中該多個磁性層溝槽為V形。