[發明專利]半導體器件及其制造方法

無效

• 申請號: 200710302368.3
• 申請日: 2007-12-25
• 公開（公告）號: CN101211920A
• 公開（公告）日: 2008-07-02
• 發明（設計）人: 張德基
• 申請（專利權）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L27/092;H01L21/8234;H01L21/8238
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐金國;梁揮

1.一種雙擴散金屬氧化物半導體器件，包括：

具有高壓晶體管區域和低壓晶體管區域的半導體襯底；

形成于所述高壓晶體管區域中的漂移擴散區；

形成于所述低壓晶體管區域中的阱區；

其中所述漂移擴散區的深度基本等于所述阱區的深度。

2.根據權利要求1所述的雙擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，還包含：

形成于所述高壓晶體管區域中的高壓阱區；

其中，所述漂移擴散區形成于所述高壓阱區中。

3.根據權利要求1所述的雙擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，還包含：

形成于所述高壓晶體管區域中的第一傳導型高壓阱區和第二傳導型高壓阱區；

其中，第二傳導型漂移擴散區形成于所述第一傳導型高壓阱區中，以及第一傳導型漂移擴散區形成于所述第二傳導型高壓阱區中。

4.根據權利要求3所述的雙擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，所述阱區包括第一傳導型阱區和第二傳導型阱區；

其中，所述第一傳導型阱區具有與所述第一傳導型漂移擴散區基本相同的深度，并且所述第二傳導型阱區具有與所述第二傳導型漂移擴散區基本相同的深度。

5.一種半導體器件的制造方法，包括：

提供具有低電壓晶體管區域和高電壓晶體管區域的半導體襯底；以及

同時在所述高電壓晶體管區域中形成漂移擴散區以及在所述低電壓晶體管區域中形成阱區。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，還包含：

在所述高電壓晶體管區域中形成高壓阱區；

其中，所述漂移擴散區形成于所述高壓阱區中。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，同時形成所述漂移擴散區以及所述阱區的步驟還包括：

形成第一掩模圖案以暴露所述半導體襯底的第一部分；

使用所述第一掩模圖案作為離子注入掩模，在所述低電壓晶體管區域形成第一傳導型阱以及在所述高電壓晶體管區域形成第一傳導型漂移擴散區；

形成第二掩模圖案以暴露所述半導體襯底的第二部分；以及

使用所述第二掩模圖案作為離子注入掩模，在所述低電壓晶體管區域形成第二傳導型阱以及在所述高電壓晶體管區域中形成第二傳導型漂移擴散區。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，還包含：

在所述高壓晶體管區域中形成第一傳導型高壓阱區和第二傳導型高壓阱區；

其中，在所述第二傳導型高壓阱區中形成所述第一傳導型漂移區以及在所述第一傳導型高壓阱區中形成第二傳導型漂移區。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，還包含：

在所述半導體上形成絕緣層，用于將所述半導體襯底分離為第一傳導型阱區、第二傳導型阱區、第一傳導型高壓阱區和第二傳導型高壓阱區，以及用于在所述半導體襯底中在所述第一傳導型高壓阱區和所述第二傳導型高壓阱區中限定中壓晶體管區和擴散晶體管區。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，所述擴散晶體管區包含所述漂移擴散區。