[發明專利]發光二極管及其制造方法

無效

• 申請號: 200710302032.7
• 申請日: 2007-12-20
• 公開（公告）號: CN101465397A
• 公開（公告）日: 2009-06-24
• 發明（設計）人: 詹世雄;黃志強
• 申請（專利權）人: 先進開發光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 潘培坤

1.一種發光二極管，包含：

一基材，具有一第一面與一第二面，其中該第二面具有一保護段，該保 護段為至少一溝渠；

一可發光的磊晶結構，位于該基材的第一面上；以及

一復合反射層，位于該基材的第二面上，及位于復合反射層外的金錫層， 該金錫層提供該發光二極管以共晶接合方式固定于一封裝基材上，該復合反 射層以共形的方式形成在溝渠內。

2.一種制造發光二極管的方法，包含：

提供一基材，該基材具有一第一面與一第二面；

在該基材的第一面形成一可發光的磊晶結構；

在該基材的第二面形成一保護段，該保護段為至少一溝渠；以及

在該基材的第二面形成一復合反射層及在復合反射層外形成金錫層，該 金錫層提供該發光二極管以共晶接合方式固定于一封裝基材上，該復合反射 層以共形的方式形成在溝渠內。

3.根據權利要求1所述的發光二極管或權利要求2所述的制造發光二極 管的方法，其中該基材以磊晶為基材，可以是藍寶石基板、碳化硅基板、砷 化鎵基板、硅基板、磷化銦基板、磷化鎵基板或氧化鋅基板。

4.一種制造發光二極管的方法，包含：

提供一暫時基材；

在該暫時基材上形成一可發光的磊晶結構；

在該可發光的磊晶結構上形成一基材；

移除該暫時基材；

在該基材上形成一保護段，該保護段為至少一溝渠；以及

在該基材上形成一復合反射層及在復合反射層外形成金錫層，該金錫層 提供該發光二極管以共晶接合方式固定于一封裝基材上，該復合反射層以共 形的方式形成在溝渠內。

5.根據權利要求1所述的發光二極管或權利要求2或4所述的制造發光 二極管的方法，其中該復合反射層可為Ni/Au/Al/Ti/Au、ITO/Al/Ti/Au、 ITO/Al/Ti/Ag、ITO/SiO₂/Al/SiO₂、SiO₂/Al/SiO₂/Ag或Al/Ti/Ag。

6.根據權利要求1所述的發光二極管或權利要求2或4所述的制造發光 二極管的方法，其中該溝渠的圖案占滿該基材。

7.根據權利要求1所述的發光二極管或權利要求2或4所述的制造發光 二極管的方法，其中該溝渠的圖案與該發光二極管的外輪廓接近。

8.一種發光二極管，包含：

一磊晶基材，具有一第一面與一第二面，其中該第二面具有多個溝渠；

一可發光的磊晶結構，位于該磊晶基材的第一面上；以及

一復合金屬反射層，位于該磊晶基材的第二面上，該復合金屬反射層可 提供該發光二極管以共晶接合方式固定于一封裝基材上，該復合金屬反射層 以共形的方式形成在溝渠內。