[發(fā)明專利]薄膜晶體管陣列基板及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710301838.4
• 申請(qǐng)日: 2007-12-18
• 公開（公告）號(hào): CN101211930A
• 公開（公告）日: 2008-07-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林周洙;洪玄碩;李昌斌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: LG.菲利浦LCD株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/12
• 分類號(hào): H01L27/12;H01L23/522;H01L23/485;H01L21/82;H01L21/768;H01L21/60;G02F1/1362
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 徐金國(guó);梁揮

1.一種薄膜晶體管陣列基板，包括：

一柵線層，包括在基板上形成的一柵線，從所述柵線分離的一柵極以及在所述柵線的末端形成的一柵極焊盤；

在所述柵線層上形成的一柵極絕緣薄膜；

在所述柵極上方的所述柵極絕緣薄膜上形成的一半導(dǎo)體層；

一數(shù)據(jù)線層，包括與所述柵線交叉的數(shù)據(jù)線，在所述半導(dǎo)體層的相對(duì)側(cè)形成的源極和漏極，以及在所述數(shù)據(jù)線末端形成的數(shù)據(jù)焊盤；

與所述漏極接觸的一像素電極；

與所述柵極焊盤和所述數(shù)據(jù)焊盤接觸的第一和第二防氧化薄膜；以及

在所述數(shù)據(jù)線層上沉積的一至少雙層鈍化薄膜；其中

所述至少雙層鈍化薄膜的最上層在不包括形成像素電極以及第一和第二防氧化薄膜的區(qū)域的剩余區(qū)域形成。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其特征在于，所述至少雙層鈍化薄膜包括順序沉積的第一到第三鈍化薄膜以覆蓋所述數(shù)據(jù)線層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板，其特征在于，

所述第一鈍化薄膜由諸如氮化硅的無機(jī)絕緣材料制成，

所述第三鈍化薄膜由諸如二氧化硅的無機(jī)絕緣材料制成，以及

所述第二鈍化薄膜由諸如苯并環(huán)丁烯或丙烯酸樹脂的有機(jī)絕緣材料制成。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線與所述像素電極的邊緣重疊。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其特征在于，所述至少雙層鈍化薄膜包括順序沉積的第一和第二鈍化薄膜以覆蓋所述數(shù)據(jù)線層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板，其特征在于，

所述第一鈍化薄膜由諸如氮化硅或氧化硅的無機(jī)絕緣材料制成，以及

所述第二鈍化薄膜由諸如二氧化硅的無機(jī)絕緣材料制成。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其特征在于，還包括：

在所述數(shù)據(jù)線和所述數(shù)據(jù)焊盤下設(shè)置的材料，與形成所述半導(dǎo)體層具有相同的圖案，其中

所述半導(dǎo)體層的邊緣與所述源極和漏極的邊緣相一致。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板，其特征在于，所述像素電極以及所述第一和第二防氧化薄膜位于相同的層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的基板，其特征在于，

所述像素電極與所述漏極通過由所述至少雙層鈍化薄膜形成的一接觸孔接觸，

所述第一防氧化薄膜與所述柵極焊盤通過由所述至少雙層鈍化薄膜和所述柵極絕緣薄膜形成的第一開口區(qū)接觸，以及

所述第二防氧化薄膜與所述數(shù)據(jù)焊盤通過由所述至少雙層鈍化薄膜形成的第二開口區(qū)接觸。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板，其特征在于，所述接觸孔通過在至少雙層鈍化薄膜和所述像素電極重疊的區(qū)域移除所述至少雙層鈍化薄膜形成。

11.一種薄膜晶體管陣列基板的制造方法，包括：

在基板上形成包括一柵線、一柵極和一柵極焊盤的一柵線層；

在包括所述柵線層的基板的前表面上形成一柵極絕緣薄膜；

形成與所述柵極重疊的一半導(dǎo)體層；

形成包括與所述柵線交叉的一數(shù)據(jù)線、在所述半導(dǎo)體層的相對(duì)面設(shè)置的源極和漏極，以及在所述數(shù)據(jù)線末端形成的一數(shù)據(jù)焊盤的一數(shù)據(jù)線層；

在包括所述數(shù)據(jù)線層的基板的前表面上形成一至少雙層鈍化薄膜；

在所述至少雙層鈍化薄膜的最上層形成一光刻膠圖案；

使用光刻膠圖案作為掩模有選擇地蝕刻所述至少雙層鈍化薄膜以形成接觸孔和第一及第二開口區(qū)，同時(shí)，在水平方向過度地蝕刻所述光刻膠圖案下的至少雙層鈍化薄膜的最上層；

在包括所述光刻膠的基板的前表面上沉積一導(dǎo)電材料；以及

通過剝離所述光刻膠構(gòu)圖所述導(dǎo)電材料，以形成通過接觸孔接觸所述漏極的像素電極，以及通過所述第一和第二開口區(qū)接觸所述柵極焊盤和數(shù)據(jù)焊盤的第一和第二防氧化薄膜。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，

在形成接觸孔和第一及第二開口區(qū)的區(qū)域完全移除所述光刻膠圖案，

在形成所述像素電極的區(qū)域，所述光刻膠圖案具有中間階，以及

在所述剩余區(qū)域不移除所述光刻膠圖案。