[發明專利]半導體裝置和制造該半導體裝置的方法

無效

• 申請號: 200710301183.0
• 申請日: 2007-12-26
• 公開（公告）號: CN101211913A
• 公開（公告）日: 2008-07-02
• 發明（設計）人: 宋承桓;金錫必;樸允童;金元柱;具俊謨;趙慶來;玄在雄;邊成宰
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04;H01L27/115;H01L23/522;H01L21/8234;H01L21/8247;H01L21/768
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司
• 代理人: 韓明星;邱玲

1.一種半導體裝置，包括：

半導體基底，包括作為有源區的至少一對鰭；

半導體柱，在所述至少一對鰭的部分之間，其中，所述半導體柱連接所述至少一對鰭；

接觸塞，在所述半導體柱上，并且電連接所述至少一對鰭的頂表面。

2.如權利要求1所述的裝置，其中，由相同的半導體材料來形成所述至少一對鰭和所述半導體柱。

3.如權利要求1所述的裝置，其中，所述半導體基底包括體半導體晶片，并且通過蝕刻所述體半導體晶片來形成所述至少一對鰭和所述半導體柱。

4.如權利要求1所述的裝置，還包括連接所述至少一對鰭的底端的主體。

5.如權利要求1所述的裝置，還包括在所述至少一對鰭與所述半導體柱之間的埋入式絕緣層。

6.如權利要求5所述的裝置，還包括：

柵電極，跨過所述埋入式絕緣層延伸，并覆蓋所述至少一對鰭的外表面的部分，其中，所述外表面為所述至少一對鰭的與所述埋入式絕緣層相對的外表面；

柵極絕緣層，在所述至少一對鰭的外表面與所述柵電極之間。

7.如權利要求5所述的裝置，還包括：

控制柵電極，跨過所述埋入式絕緣層延伸，并且覆蓋所述至少一對鰭的外表面的部分，其中，所述外表面為所述至少一對鰭的與所述埋入式絕緣層相對的外表面。

成對的電荷存儲層，在所述至少一對鰭的外表面與所述控制柵電極之間；

成對的隧穿絕緣層，在所述至少一對鰭的外表面與所述電荷存儲層之間。

8.如權利要求1所述的裝置，還包括連接所述至少一對鰭的頂端的橋式絕緣層，其中，所述橋式絕緣層在所述至少一對鰭與所述半導體柱之間限定空腔。

9.如權利要求8所述的裝置，還包括：

柵電極，跨過所述橋式絕緣層延伸，并覆蓋所述至少一對鰭的外表面的部分，其中，所述外表面為所述至少一對鰭的與所述橋式絕緣層相對的外表面；

成對的柵極絕緣層，在所述至少一對鰭的外表面與所述柵電極之間。

10.如權利要求8所述的裝置，還包括：

控制柵電極，跨過所述橋式絕緣層延伸，并且覆蓋所述至少一對鰭的外表面的部分，其中，所述外表面為所述至少一對鰭的與所述橋式絕緣層相對的外表面；

成對的電荷存儲層，在所述至少一對鰭的外表面與所述控制柵電極之間；

成對的隧穿絕緣層，在所述至少一對鰭的外表面與所述電荷存儲層之間。

11.一種制造半導體裝置的方法，包括如下步驟：

在半導體基底上形成器件隔離層，其中，所述器件隔離層限定有源區；

通過蝕刻所述有源區來形成至少一對鰭和半導體柱，其中，半導體柱置于所述至少一對鰭的部分之間，并連接所述至少一對鰭；

在所述半導體柱上形成接觸塞，使得所述接觸塞電連接到所述至少一對鰭的頂表面。

12.如權利要求11所述的方法，其中，形成所述至少一對鰭和所述半導體柱的步驟包括：

在所述器件隔離層的頂端的側壁上形成分隔件絕緣層，以覆蓋所述有源區的兩個邊緣；

形成跨過所述分隔件絕緣層延伸并覆蓋所述有源區的部分的掩模層；

使用所述分隔件絕緣層和所述掩模層作為蝕刻保護層來蝕刻所述有源區。

13.如權利要求11所述的方法，還包括在形成所述接觸塞之前，在所述至少一對鰭與所述半導體柱之間形成埋入式絕緣層。

14.如權利要求13所述的方法，還包括：

形成覆蓋所述至少一對鰭的外表面的成對的柵極絕緣層，其中，所述外表面為所述至少一對鰭的與所述埋入式絕緣層相對的外表面；

形成跨過所述埋入式絕緣層延伸并覆蓋所述柵極絕緣層的柵電極。

15.如權利要求13所述的方法，還包括：

形成覆蓋所述至少一對鰭的外表面的成對的隧穿絕緣層，其中，所述外表面為所述至少一對鰭的與所述埋入式絕緣層相對的外表面；

形成覆蓋所述隧穿絕緣層的成對的電荷存儲層；

形成跨過所述埋入式絕緣層延伸的并覆蓋所述電荷存儲層的控制柵電極。