[發(fā)明專利]能夠降低耦合效應(yīng)的存儲(chǔ)單元編程方法無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710301180.7 | 申請(qǐng)日: | 2007-12-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101211662A | 公開(kāi)(公告)日: | 2008-07-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙慶來(lái);玄在雄;邊成宰;樸奎燦;樸允童;李忠浩 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | G11C16/10 | 分類號(hào): | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 韓明星;安宇宏 |
| 地址: | 韓國(guó)京畿道*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 能夠 降低 耦合 效應(yīng) 存儲(chǔ) 單元 編程 方法 | ||
1.一種存儲(chǔ)單元編程方法,用于在具有多個(gè)閾值電壓分布的存儲(chǔ)單元中編入n位數(shù)據(jù),該方法包括:
第一至第n編程操作,編入所述n位數(shù)據(jù)的第一至第n位,所述第一至第n編程操作是使用所述多個(gè)閾值電壓分布來(lái)執(zhí)行的,并且是被順序地執(zhí)行的;其中:
在所述第n編程操作中使用的閾值電壓分布之間的差小于或等于在所述第一至第n-1編程操作中使用的閾值電壓分布之間的差中的至少一個(gè)。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)單元編程方法,其中,在所述第一至第n編程操作中使用的閾值電壓分布之間的差順序地降低。
3.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)單元編程方法,其中,在第i編程操作中使用的閾值電壓分布之間的差小于或等于在第j編程操作中使用的閾值電壓分布之間的差,其中,
i是在2和n之間的自然數(shù),
j是小于i的自然數(shù)。
4.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)單元編程方法,其中,在所述第n編程操作中使用的閾值電壓分布之間的差是在所述第一至第n編程操作中使用的閾值電壓分布之間的差中的最小的差。
5.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)單元編程方法,其中,在所述第n編程操作中的閾值電壓分布之間的差小于在所述第一至第n-1編程操作中使用的閾值電壓分布之間的差中的至少一個(gè)。
6.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)單元編程方法,其中,在所述第一編程操作中使用的閾值電壓分布之間的差大于或等于在所述第二至第n編程操作中使用的閾值電壓分布之間的差。
7.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)單元編程方法,其中,在所述第一編程操作中使用的閾值電壓分布之間的差是在所述第一至第n編程操作中使用的閾值電壓分布之間的差中的最大的差。
8.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)單元編程方法,其中,所述存儲(chǔ)單元是存儲(chǔ)n位數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)單元。
9.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)單元編程方法,其中,所述存儲(chǔ)單元是存儲(chǔ)n位數(shù)據(jù)的多層閃速存儲(chǔ)單元。
10.如權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)單元編程方法,其中,所述存儲(chǔ)單元具有2n個(gè)閾值電壓分布,根據(jù)閾值電壓將所述2n個(gè)閾值電壓分布分組。
11.一種存儲(chǔ)單元編程方法,用于在具有2n個(gè)閾值電壓分布的存儲(chǔ)單元中編入n位數(shù)據(jù),該方法包括:
第一編程操作,使用第一閾值電壓分布和第1/2×2n+1閾值電壓分布來(lái)編入所述數(shù)據(jù)的第一位;
第二編程操作,使用所述第一閾值電壓分布、第1/22×2n+1閾值電壓分布、第2/22×2n+1閾值電壓分布和第3/22×2n+1閾值電壓分布來(lái)編入所述數(shù)據(jù)的第二位;
第i編程操作,使用在所述第一閾值電壓分布和第(21-1)/2i×2n+1閾值電壓分布之間的每個(gè)閾值電壓分布來(lái)編入所述數(shù)據(jù)的第i位,其中i是大于2且小于n的自然數(shù);
第n編程操作,使用在所述第一閾值電壓分布和第(2n-1)/2n×2n+1閾值電壓分布之間的每個(gè)閾值電壓分布來(lái)編入所述數(shù)據(jù)的第n位,其中,
所述第一至第2n閾值電壓分布的閾值電壓順序地增加。
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