[發明專利]用于交叉點存儲器的薄膜晶體管及其制造方法

無效

• 申請號: 200710300799.6
• 申請日: 2007-10-22
• 公開（公告）號: CN101226963A
• 公開（公告）日: 2008-07-23
• 發明（設計）人: 宋利憲;樸永洙;姜東勛;金昌楨;林赫
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/22;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/84
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 陶鳳波

1.一種薄膜晶體管，包括：

在部分襯底上的柵極；

在該襯底和柵極上的柵極絕緣層；

在該柵極之上的該柵極絕緣層上的包括氧化鋅(ZnO)的溝道；

接觸該溝道相對側面的源極和漏極；

其中該薄膜晶體管被用作選擇晶體管用于交叉點存儲器。

2.根據權利要求1的薄膜晶體管，其中該溝道由包括ZnO和從鎵(Ga)、銦(In)、錫(Sn)、鋁(Al)及其組合構成的組中選擇的至少一種的化合物形成。

3.根據權利要求2的薄膜晶體管，其中該化合物由氧化鎵(Ga₂O₃)、氧化銦(In₂O₃)和ZnO形成。

4.根據權利要求1的薄膜晶體管，其中該源極由金屬或導電氧化物形成。

5.根據權利要求4的薄膜晶體管，其中該金屬是從鉬(Mo)、鋁(Al)、鎢(W)、銅(Cu)及其組合構成的組中選擇的至少一種，以及

該導電氧化物是從氧化銦鋅(InZnO)、氧化鋁鋅(AlZnO)及其組合構成的組中選擇的至少一種。

6.根據權利要求1的薄膜晶體管，其中該漏極由金屬或導電氧化物形成。

7.根據權利要求6的薄膜晶體管，其中該金屬是從鉬(Mo)、鋁(Al)、鎢(W)、銅(Cu)及其組合構成的組中選擇的至少一種，以及

該導電氧化物是從氧化銦鋅(InZnO)、氧化鋁鋅(AlZnO)及其組合構成的組中選擇的至少一種。

8.根據權利要求1的薄膜晶體管，其中該溝道具有20nm至200nm的厚度。

9.一種薄膜晶體管的制造方法，包括：

通過在部分襯底上沉積導電材料并圖形化該沉積的導電材料形成柵極；

在該襯底和該柵極上沉積柵極絕緣層；

通過在該柵極絕緣層上沉積包括氧化鋅(ZnO)的溝道材料并圖形化該瀧積的溝道材料，在該柵極之上的部分該柵極絕緣層上形成溝道；和

通過在該溝道和該柵極絕緣層上沉積導電材料并圖形化該導電材料，形成接觸該溝道相對側面的源極和漏極，

其中該薄膜晶體管用作選擇晶體管用于交叉點存儲器。

10.根據權利要求9的方法，其中該溝道通過使用包括ZnO和從鎵(Ga)、銦(In)、錫(Sn)、鋁(Al)及其組合構成的組中選擇的至少一種的化合物靶濺射形成。

11.根據權利要求10的方法，其中該化合物靶包括氧化鎵(Ga₂O₃)、氧化銦(In₂O₃)和ZnO。

12.根據權利要求9的方法，其中該溝道通過使用ZnO和從鎵(Ga)、銦(In)、錫(Sn)、鋁(Al)及其組合構成的組中選擇的至少一種作為靶的共濺射形成。

13.根據權利要求9的方法，其中該源極是金屬或導電氧化物。

14.根據權利要求13的薄膜晶體管，其中該金屬是從鉬(Mo)、鋁(Al)、鎢(W)、銅(Cu)及其組合構成的組中選擇的至少一種，以及

該導電氧化物是從氧化銦鋅(InZnO)、氧化鋁鋅(AlZnO)及其組合構成的組中選擇的至少一種。

15.根據權利要求9的薄膜晶體管，其中該漏極由金屬或導電氧化物形成。

16.根據權利要求15的薄膜晶體管，其中該金屬是從鉬(Mo)、鋁(Al)、鎢(W)、銅(Cu)及其組合構成的組中選擇的至少一種，以及

該導電氧化物是從氧化銦鋅(InZnO)、氧化鋁鋅(AlZnO)及其組合構成的組中選擇的至少一種。

17.根據權利要求10的方法，其中該溝道具有20nm至200nm的厚度。