[發明專利]CMOS圖像傳感器及其制造方法

無效

• 申請號: 200710300704.0
• 申請日: 2007-12-25
• 公開（公告）號: CN101211944A
• 公開（公告）日: 2008-07-02
• 發明（設計）人: 金升炫
• 申請（專利權）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L21/822
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 鄭小軍

1.一種CMOS圖像傳感器，包括：

柵極，位于半導體襯底的有源區域中的柵極絕緣層上；

光電二極管區域，位于該柵極一側的半導體襯底中；

浮置擴散區域，位于該柵極另一側的半導體襯底中；

補償雜質區域，位于該柵極的該另一側的半導體襯底中，并疊置在該浮置擴散區域上。

2.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其中該柵極位于轉移晶體管中。

3.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其中該柵極的一側與該光電二極管區域的端部對準。

4.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其中至少部分該補償雜質區域與隔離層鄰近。

5.根據權利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其中至少部分該浮置擴散區域位于該補償雜質區域和該柵極之間。

6.一種制造CMOS圖像傳感器的方法，該方法包括以下步驟：

在半導體襯底的預定區域中的柵極絕緣層上形成柵極；

在該柵極一側的半導體襯底中形成光電二極管區域；

在該柵極兩側形成絕緣側壁；以及

在該柵極另一側的半導體襯底中形成浮置擴散區域；以及

在該半導體襯底中形成補償雜質區域，且該補償雜質區域疊置在該浮置擴散區域上。

7.根據權利要求6所述的方法，其中該柵極位于轉移晶體管中。

8.根據權利要求6所述的方法，其中該柵極的一側與該光電二極管區域的端部對準。

9.根據權利要求6所述的方法，其中至少部分該補償雜質區域與隔離層鄰近。

10.根據權利要求6所述的方法，其中至少部分該浮置擴散區域位于該補償雜質區域和該柵極之間。