[發(fā)明專利]像增強(qiáng)器

無(wú)效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710300541.6
• 申請(qǐng)日: 2007-12-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101206989A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 免束龍一
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社東芝;東芝電子管器件株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01J31/50
• 分類號(hào): H01J31/50
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司
• 代理人: 沈昭坤

1.一種像增強(qiáng)器，其特征在于，包含

在入射線的入射側(cè)形成輸入窗，并相對(duì)于輸入窗在相反側(cè)形成輸出窗的真空管殼；

設(shè)置在此真空管殼內(nèi)輸入窗側(cè)，并放射與入射線對(duì)應(yīng)的電子束的輸入面；

設(shè)置在所述真空管殼內(nèi)輸出窗側(cè)，并將所述電子束變換成可視的光學(xué)圖像的輸出面；

設(shè)置在所述輸入面與所述輸出面之間，并在所述電子束的路徑上構(gòu)成電子透鏡的多個(gè)電極；

使該多個(gè)電極之間絕緣的絕緣體；以及

以將所述多個(gè)電極之間和這些多個(gè)電極之間的絕緣體連續(xù)連接的方式形成的氧化鉻膜。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像增強(qiáng)器，其特征在于，

所述多個(gè)電極至少是陽(yáng)極和鄰近此陽(yáng)極的柵極，絕緣體是玻璃和陶瓷這兩者中的一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的像增強(qiáng)器，其特征在于，

所述氧化鉻膜的構(gòu)成比例為，鉻的原子百分比為25％～40％、硅的原子百分比為1％～8％、堿金屬的原子百分比為0.7％～5％，其余部分實(shí)質(zhì)上由氧構(gòu)成。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的像增強(qiáng)器，其特征在于，

堿金屬是鉀。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的像增強(qiáng)器，其特征在于，

氧化鉻膜中的氧化鉻粒子的平均粒徑為0.5微米～1.5微米。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的像增強(qiáng)器，其特征在于，

氧化鉻膜的厚度為5微米～100微米。