[發明專利]鍍膜方法

無效

• 申請號: 200710203468.0
• 申請日: 2007-12-27
• 公開（公告）號: CN101469404A
• 公開（公告）日: 2009-07-01
• 發明（設計）人: 簡士哲
• 申請（專利權）人: 鴻富錦精密工業（深圳）有限公司;鴻海精密工業股份有限公司
• 主分類號: C23C14/32
• 分類號: C23C14/32
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種鍍膜方法，在鍍膜過程中提供一個氣體源和一個離子源，氣體源用于 鍍膜過程中的化學反應，離子源用于發射離子，以利用離子轟擊效應輔助 鍍膜，其特征在于：在開始鍍第一層膜時，使用較小的離子源強度配合較 大的氧氣通量，并以漸進式的方式將離子源強度慢慢增加，同時氧氣通量 慢慢減小，然后在某一預設的離子源強度和氧氣通量時維持第一時間段， 接著再將離子源強度慢慢減小，氧氣通量慢慢增大，在另一預設的離子源 強度和氧氣通量時維持第二時間段，然后離子源強度又開始慢慢增加，氧 氣通量又開始慢慢減小，重復上述步驟直至鍍膜完成。

2.如權利要求1所述的鍍膜方法，其特征在于：至少在一次鍍膜材料切換時 的氣體通量大于鍍膜過程中最小的氣體通量。

3.如權利要求1所述的鍍膜方法，其特征在于：在開始鍍第一層膜時的離子 源強度小于后續鍍膜過程中最大的離子源強度。

4.如權利要求1所述的鍍膜方法，其特征在于：在開始鍍第一層膜時的氣體 通量大于后續鍍膜過程中最小的氣體通量。

5.如權利要求1所述的鍍膜方法，其特征在于：至少在一次鍍膜材料切換時 的離子源強度與鍍膜過程中最大的離子源強度之間的變化為漸變。

6.如權利要求1所述的鍍膜方法，其特征在于：所述氣體源用于提供氧氣。