[發明專利]發光二極管

無效

• 申請號: 200710203009.2
• 申請日: 2007-12-12
• 公開（公告）號: CN101459163A
• 公開（公告）日: 2009-06-17
• 發明（設計）人: 張忠民;徐智鵬;王君偉
• 申請（專利權）人: 富士邁半導體精密工業（上海）有限公司;沛鑫半導體工業股份有限公司
• 主分類號: H01L25/00
• 分類號: H01L25/00;H01L25/075;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種發光二極管。

背景技術

目前，發光二極管(Light?Emitting?Diode，L?ED)因具光質佳(也即光源輸出的光譜)及發光效率高等特性而逐漸取代冷陰極熒光燈(Cold?Cathode?Fluorescent?Lamp，CCFL)作為照明裝置的發光元件，具體可參見Michael?S.Shur等人在文獻Proceedingsof?the?IEEE，Vol.93，No.10(2005年10月)中發表的“Solid-StateLighting：Toward?Superior?Illumination”一文。

請參見圖1，一種白光發光二極管10包括一個反光杯11，一個發光二極管芯片12及用于封裝該發光二極管芯片12的封裝體13。該反光杯11包括一容置槽110，及正電極111、負電極112。該容置槽110包括用于容置該發光二極管芯片12的底部1102，用于反射該發光二極管芯片12發出的光線的側壁1104，及與該底部112相對的開口1106。該正電極14與負電極15設置在該容置槽110的底部1102，其用于與外部電源電連接。該發光二極管芯片12設置在該正電極111上且與該正電極111及負電極112打線連接。該封裝體13設置在該容置槽110中且其中含有熒光粉132，該熒光粉132分布在該發光二極管芯片12的周圍。在此，該發光二極管芯片12發出的藍光可直接激發該熒光粉132以產生黃光，從而與剩余的藍光混光而形成白光。該熒光粉132直接分布在該發光二極管芯片12的周圍有利于混光并在一定程度上提高發光二極管10的出光均勻度，然而當該發光二極管10工作時，其溫度通常會達到70～80度，這樣的高溫很容易使該熒光粉132的效率降低，造成發光二極管10的出光效率及均勻度降低。因此，有必要提供一種出光均勻度較佳的發光二極管。

發明內容

以下將以實施例說明一種出光均勻度較佳的發光二極管。

一種發光二極管，其包括一個反光杯，至少一個發光二極管芯片及多個電極，該反光杯包括一本體及設置在該本體上的容置槽，該多個電極設置在該本體上且位于該容置槽的底部，該至少一個發光二極管芯片設置在該容置槽中并與該多個電極電連接。該發光二極管還包括一第一散射層、一第二散射層及一光轉換層，該第一散射層設置在該容置槽中且覆蓋該至少一發光二極管芯片，該光轉換層設置在該第一散射層的遠離該至少一發光二極管芯片的一側。該第二散射層設置在該光轉換層的遠離該至少一發光二極管芯片的一側。該第一散射層包括第一透明基材及分布在該第一透明基材中的散射粒子，該光轉換層包括第二透明基材及分布在該第二透明基材中的熒光粉，該第二散射層包括第三透明基材及均勻分布在該第三透明基材中的散射粒子。該第二透明基材的折射率小于或等于該第一透明基材的折射率，該第三透明基材的折射率小于或等于該第二透明基材的折射率。

相對于現有技術，所述發光二極管包括第一散射層及光轉換層，該第一散射層覆蓋該至少一發光二極管芯片且其中含有散射粒子，該散射粒子可將該至少一發光二極管芯片射出的光均勻的散射，從而使從該第一散射層出射的激發光具有良好的均勻度，該均勻的激發光經該光轉換層轉換后可進一步的產生均勻度較佳的白光。

附圖說明

圖1是一種現有的發光二極管的剖面示意圖。

圖2是本發明第一實施例發光二極管的剖面示意圖。

圖3是圖2中發光二極管中第二填充層的出光面為沿遠離發光二極管芯片的方向凸設的凸曲面的剖面示意圖。

圖4是圖2中發光二極管中第二填充層的出光面為向發光二極管芯片凹設的凹曲面的剖面示意圖。

圖5是本發明第二實施例發光二極管的剖面示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本發明作進一步的詳細說明。

請參見圖2，本發明第一實施例提供的發光二極管20，其包括一個反光杯21，一個發光二極管芯片22，一個第一電極23，一個第二電極24，一第一散射層25及一光轉換層26。

該反光杯21包括一本體210及設置在該本體210上的容置槽212。該本體210包括一基底2102，一設置在該基底2102上的環形側壁2104，該容置槽212由該基底2102與該環形側壁2104圍成。該環形側壁2104的內表面用于反射光線。該容置槽212為錐形，且其開口沿遠離該發光二極管芯片22的方向逐漸變大。