[發(fā)明專利]雙內(nèi)存條供電電路無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710200566.9 | 申請日: | 2007-04-29 |
| 公開(公告)號: | CN101295534A | 公開(公告)日: | 2008-10-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳櫻;熊金良 | 申請(專利權(quán))人: | 鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司;鴻海精密工業(yè)股份有限公司 |
| 主分類號: | G11C5/14 | 分類號: | G11C5/14 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518109廣東省深圳市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 內(nèi)存條 供電 電路 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種供電電路,特別涉及一種給內(nèi)存條提供電能的供電 電路。
背景技術(shù)
目前,電腦已經(jīng)成為人們?nèi)粘9ぷ鳌W(xué)習(xí)非常重要的工具,被廣泛 應(yīng)用在各個領(lǐng)域,其中衡量電腦的一個重要指標(biāo)的內(nèi)存條技術(shù)也不斷更 新?lián)Q代,發(fā)展迅速。現(xiàn)在市場上推出了兩代內(nèi)存條產(chǎn)品,即第一代雙倍 數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器(Double?Data?Rate?I?SDRAM,DDR?I? SDRAM)及第二代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機(jī)存儲器(Double?Data?Rate? II?SDRAM,DDR?II?SDRAM)。上述兩種內(nèi)存條的接口(DDR?I內(nèi)存 條引腳為180,DDR?II內(nèi)存條引腳為240)、電壓(DDR?I內(nèi)存條工 作電壓為2.6V,DDR?II內(nèi)存條工作電壓為1.8V)均不同,故不能使用 相同的內(nèi)存條插槽。
為了方便用戶升級內(nèi)存,許多主板上集成了上述兩種內(nèi)存條插槽, 這樣一塊主板既可以使用DDR?I內(nèi)存條,也可以使用DDR?II內(nèi)存條。 但是,一般情況下這兩種內(nèi)存條插槽各自擁有獨(dú)立的電源轉(zhuǎn)換模塊來提 供電源,這樣的話所用元器件就會較多,一方面增加了成本,另一方面 占用了一定的電路板空間,從而提高了主板設(shè)計(jì)難度。
發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上內(nèi)容,有必要提供一種可滿足兩種內(nèi)存條的供電要求的雙 內(nèi)存條供電電路。
一種雙內(nèi)存條供電電路,用于給一主板上的兩種內(nèi)存條插槽供電, 其包括一插槽偵測端、一電開關(guān)元件、一第一電阻、一第二電阻、一第 三電阻及一電壓輸出端,所述插槽偵測端連接所述主板上一用于偵測內(nèi) 存條插槽插接內(nèi)存條狀態(tài)的控制信號引腳并連接到所述電開關(guān)元件的 第一端,所述電開關(guān)元件的第二端接地,所述電開關(guān)元件的第三端通過 所述第一電阻后接所述電壓輸出端,所述第二電阻及第三電阻串接于一 第一電源端與地之間,所述電壓輸出端還分別連接于所述第二電阻及第 三電阻之間的節(jié)點(diǎn)及所述兩種內(nèi)存條插槽的電壓輸入引腳。
相較現(xiàn)有技術(shù),所述雙內(nèi)存條供電電路根據(jù)插接內(nèi)存條的不同來控 制所述電開關(guān)元件對電阻的切換,從而可自動調(diào)整供給內(nèi)存條插槽的電 壓值,而不需對兩種內(nèi)存條插槽分別獨(dú)立設(shè)置供電電路,不但節(jié)省了電 路板空間,也大大降低了主板設(shè)計(jì)難度與制造成本。
附圖說明
下面參考附圖結(jié)合具體實(shí)施方式對本發(fā)明作進(jìn)一步的說明。
圖1為本發(fā)明雙內(nèi)存條供電電路的較佳實(shí)施方式的電路圖。
具體實(shí)施方式
請參考圖1,本發(fā)明雙內(nèi)存條供電電路用于給一電腦主板上的兩種 內(nèi)存條插槽供電,其較佳實(shí)施方式包括一插槽偵測端X、一電開關(guān)元件 Q、一限流電阻R、一第一電阻R1、一第二電阻R2、一第三電阻R3、 一電壓負(fù)反饋電路10、一瓷片電容C1、一電解電容C2及一電壓輸出 端Y。
所述電壓負(fù)反饋電路10包括一運(yùn)算放大器U、一第一場效應(yīng)管Q1 及一第二場效應(yīng)管Q2。所述運(yùn)算放大器U包括一同相輸入端3、一反 相輸入端2、一電源端8、一接地端4及一輸出端1。本實(shí)施方式中, 所述電開關(guān)元件Q為一PNP型三極管,所述兩種內(nèi)存條插槽為DDR? I內(nèi)存條插槽及DDR?II內(nèi)存條插槽。所述第一電阻R1的電阻值為 1.75KΩ,所述第二電阻R2的電阻值為1KΩ,所述第三電阻R3的電 阻值為3.7KΩ。
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