[發明專利]等離子體處理設備

無效

• 申請號: 200710199710.1
• 申請日: 2007-12-06
• 公開（公告）號: CN101198207A
• 公開（公告）日: 2008-06-11
• 發明（設計）人: 金圣烈
• 申請（專利權）人: TES股份有限公司
• 主分類號: H05H1/34
• 分類號: H05H1/34;H01L21/00
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 左一平

1.一種等離子體處理設備，其包含：

腔室；

絕緣部件，其設置于所述腔室的上部中；

接地電極，其形成于所述腔室的內側壁處，接地電位被施加至所述接地電極；以及

下部電極，其設置于所述腔室的下部中，襯底被放置于所述下部電極上，

其中所述下部電極被分割成多個電極。

2.根據權利要求1所述的設備，其特征在于，所述多個電極包含內電極及外電極；

所述內電極及所述外電極同軸地布置并彼此間隔開；

且所述內電極與所述外電極之間的距離介于0.1mm至10mm范圍內。

3.根據權利要求2所述的設備，其特征在于，進一步包含：

升降部件，其設置于所述下部電極下面，用于上下移動所述下部電極，

上部升降部件，用于上下移動所述絕緣部件，

其中所述升降部件連接至所述內電極，且所述上部升降部件交替地上下移動所述內電極及所述外電極。

4.根據權利要求2所述的設備，其特征在于，在所述絕緣部件與所述腔室的內壁之間進一步形成接地電極；

所述接地電極連接至氣體供應通道，且所述氣體供應通道連接至氣體供應源；

所述外電極由電極支架進行支撐；

圍繞所述外電極的外圓周進一步提供聚焦環；以及

在所述聚焦環與所述腔室的內壁之間進一步提供孔板。

5.根據權利要求2所述的設備，其特征在于，在所述多個電極中形成氣體注入孔，以及

沿所述內電極的外圓周及所述外電極的內圓周形成所述氣體注入孔。

6.根據權利要求2所述的設備，其特征在于，進一步包含位于所述內電極與所述外電極之間的中間電極，

其中在所述內電極與所述外電極之間連接功率分配器，

RF電源連接至所述內電極及所述中間電極，

在所述內電極與所述RF電源之間以及在所述中間電極與所述RF電源之間進一步提供傳感器，以及

沿所述中間電極的內圓周與外圓周進一步形成氣體注入孔。

7.根據權利要求6所述的設備，其特征在于，所述中間電極的直徑介于所述外電極的直徑的56％至70％范圍內，

所述內電極的直徑介于所述外電極的直徑的40％至56％范圍內，以及

所述內電極與所述中間電極之間以及所述中間電極與所述外電極之間的距離介于0.1mm至10mm范圍內。

8.根據權利要求6所述的設備，其特征在于，所述內電極的直徑介于120mm至170mm范圍內，

所述中間電極的直徑介于170mm至210mm范圍內，以及

所述外電極的直徑介于210mm至300mm范圍內。

9.根據權利要求2所述的設備，其特征在于，所述絕緣部件包含內絕緣部件及外絕緣部件，所述外絕緣部件耦合至所述內絕緣部件的外圓周，

在所述絕緣部件的上表面及所述腔室的頂部的內表面上分別形成彼此對應的凹槽與凸起部，以及

所述絕緣部件的上表面耦合至所述腔室的頂部的內表面。

10.根據權利要求9所述的設備，其特征在于，在所述內絕緣部件的下表面上形成呈環形曲線形狀的下部凹槽，

在所述下部凹槽中插入氣體注入環，以及

垂直地貫穿所述絕緣部件而進一步形成氣體管線，以連通所述下部凹槽。