[發明專利]磁電阻元件

無效

• 申請號: 200710199180.0
• 申請日: 2002-11-08
• 公開（公告）號: CN101222018A
• 公開（公告）日: 2008-07-16
• 發明（設計）人: 長坂惠一;瀨山喜彥;菅原貴彥;清水豊;田中厚志
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: H01L43/08
• 分類號: H01L43/08;H01F10/32;G01R33/09;G11B5/39
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 杜娟

1.一種磁電阻元件，其通過在磁電阻效應膜的厚度方向上給出讀出電流而檢測磁電阻的改變量，該磁電阻效應膜至少包括一個底層、一個自由層、一個非磁性層、一個被固定層、一個固定層和一個保護層，

該磁電阻元件包括粒狀結構層，該粒狀結構層包括導電顆粒和薄膜形式的絕緣基質材料，該絕緣基質材料包含處于分散狀態的所述導電顆粒并且其厚度小于所述導電顆粒的顆粒直徑，

該粒狀結構層鄰接于所述自由層和所述被固定層中的任何一個層。

2.根據權利要求1所述的磁電阻元件，其中：

該粒狀結構層被插入在被固定層和固定層之間，以及

該導電顆粒由磁性金屬材料所制成。

3.根據權利要求1所述的磁電阻元件，其中：該磁電阻效應膜進一步包括選自正向疊加即頂部型自旋閥膜、反向疊加即底部型自旋閥膜，雙重類型自旋閥膜、鐵銷型自旋閥膜、鐵銷雙重型自旋閥膜、以及隧道結膜的膜，該膜被插入在磁電阻效應膜中。

4.一種磁性記錄設備，其中包括作為用于磁性再現的磁頭的磁電阻元件，

該磁電阻元件通過在磁電阻效應膜的厚度方向上給出讀出電流而檢測磁電阻的改變量，該磁電阻效應膜至少包括一個底層、一個自由層、一個非磁性層、一個被固定層、一個固定層和一個保護層，

該磁電阻元件包括粒狀結構層，該粒狀結構層包括導電顆粒和薄膜形式的絕緣基質材料，該絕緣基質材料包含處于分散狀態的所述導電顆粒并且其厚度小于所述導電顆粒的顆粒直徑，

該粒狀結構層鄰接于所述自由層和所述被固定層中的任何一個層。