[發(fā)明專利]電子發(fā)射式發(fā)光元件及其發(fā)光方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710199163.7
• 申請日: 2007-12-18
• 公開（公告）號: CN101246804A
• 公開（公告）日: 2008-08-20
• 發(fā)明（設計）人: 李中裕;陳世溥;林依萍;林韋至;卓連益
• 申請（專利權）人: 財團法人工業(yè)技術研究院
• 主分類號: H01J63/06
• 分類號: H01J63/06
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 彭久云;許向華

1.一種電子發(fā)射式發(fā)光方法，使用于包含有陰極結構、陽極結構以及熒光層的元件，包括：

填充低壓氣體層于該陰極結構與該陽極結構之間，以誘導該陰極均勻發(fā)射電子撞擊熒光層。

2.如權利要求1所述的電子發(fā)射式發(fā)光方法，其中該低壓氣體層有一電子平均自由路徑，允許至少足夠數(shù)量的電子在一操作電壓下直接撞擊該熒光層。

3.如權利要求1所述的電子發(fā)射式發(fā)光方法，其中該低壓氣體層的氣壓約在8×10^-1乇至10^-3乇之間。

4.如權利要求1所述的電子發(fā)射式發(fā)光方法，其中該低壓氣體層的氣體包括惰性氣體、氫氣、二氧化碳、氧氣、或空氣。

5.如權利要求1所述的電子發(fā)射式發(fā)光方法，還包括：

施加一正電壓給該元件的該陽極結構；以及

施加一地電壓給該元件的該陰極結構。

6.如權利要求1所述的電子發(fā)射式發(fā)光方法，還包括：

施加一地電壓給該元件的該陽極結構；以及

施加一負電壓給該元件的該陰極結構。

7.一種電子發(fā)射式發(fā)光元件，包括：

陰極結構；

陽極結構；

熒光層，位于該陰極結構與該陽極結構之間；以及

低壓氣體層，填充于該陰極結構與該陽極結構之間，有誘導陰極均勻發(fā)射電子的作用。

8.如權利要求7所述的電子發(fā)射式發(fā)光元件，其中該低壓氣體層有一電子平均自由路徑，允許至少足夠數(shù)量的電子在一操作電壓下直接撞擊該熒光層。

9.如權利要求7所述的電子發(fā)射式發(fā)光元件，其中該低壓氣體的氣壓介于8×10^-1乇至10^-3乇之間。

10.如權利要求7所述的電子發(fā)射式發(fā)光元件，其中該陽極結構包含透明導電材料。

11.如權利要求10所述的電子發(fā)射式發(fā)光元件，其中該透明導電材料包含銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氟摻雜氧化錫或是透明導電氧化物。

12.如權利要求7所述的電子發(fā)射式發(fā)光元件，其中該熒光層經(jīng)該電子撞擊后產(chǎn)生熒光。

13.如權利要求12所述的電子發(fā)射式發(fā)光元件，其中該熒光包括可見光、紅外線或紫外線。

14.如權利要求7所述的電子發(fā)射式發(fā)光元件，其中該熒光層是單層結構，產(chǎn)生相同頻率的光。

15.如權利要求7所述的電子發(fā)射式發(fā)光元件，其中該熒光層包含多個熒光區(qū)域，分別產(chǎn)生對應頻率的光。

16.如權利要求7所述的電子發(fā)射式發(fā)光元件，其中該熒光層是疊層結構或是混層結構，包含多種不同熒光材料。

17.如權利要求7所述的電子發(fā)射式發(fā)光元件，其中該陽極結構與該陰極的至少其一為金屬或是導電材料。

18.如權利要求7所述的電子發(fā)射式發(fā)光元件，其中該陽極結構與陰極結構是在基板的同一側。

19.如權利要求7所述的電子發(fā)射式發(fā)光元件，其中該低壓氣體層的氣體被游離后具有足夠的導電能力。

20.如權利要求7所述的電子發(fā)射式發(fā)光元件，其中該低壓氣體層的氣體包括惰性氣體、氫氣、二氧化碳、氧氣、或空氣。

21如權利要求7所述的電子發(fā)射式發(fā)光元件，其中該陰極結構與該陽極結構的至少其中之一上包含誘發(fā)放電結構層。

22.如權利要求21所述的電子發(fā)射式發(fā)光元件，其中該誘發(fā)放電結構層包括金屬材、納米碳管、納米碳壁、納米孔隙碳材、鉆石薄膜、柱狀氧化鋅、或氧化鋅。

23.如權利要求21所述的電子發(fā)射式發(fā)光元件，其中該誘發(fā)放電結構層包含第一誘發(fā)放電結構在該陰極結構上；以及第二誘發(fā)放電結構在該陽極結構上。