[發明專利]半導體存儲器件及其修復方法

有效

• 申請號: 200710198999.5
• 申請日: 2007-12-11
• 公開（公告）號: CN101202116A
• 公開（公告）日: 2008-06-18
• 發明（設計）人: 李奉镕;李憲奎;金光洙;權相烈
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G11C29/44
• 分類號: G11C29/44
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 黃啟行;穆德駿

優先權聲明

該美國非臨時專利申請根據35U.S.C§119要求2006年12月11日提交的韓國專利申請2006-125735的優先權，將其內容全部引入供參考。

背景技術

例子實施例涉及半導體器件，更具體地說，涉及半導體器件及用于修復半導體器件的方法。

通常，半導體存儲器件被分為易失性存儲器件和非易失性存儲器件。易失性存儲器件當其電源供給被中斷時丟失其存儲的數據，而非易失性存儲器件即使當其電源供給被中斷時仍然保持其存儲的數據。

快閃存儲器件是非易失性存儲器件，以及可以被分為NOR型快閃存儲器件(下面稱為“NOR快閃存儲器件”和NAND型快閃存儲器件(下面稱為“NAND快閃存儲器件”)。NAND快閃存儲器被配置為同時控制一串存儲單元，而NOR快閃存儲器被配置為獨立地控制存儲單元。

典型的NOR快閃存儲器包括單元陣列區，該單元陣列區可以包括主單元陣列區和在主單元陣列區的一側或兩側形成的冗余單元陣列區。主單元陣列區包括全局位線和連接到全局位線的局部位線。冗余單元陣列區包括冗余位線和連接到該冗余位線的局部冗余位線。

存儲單元陣列區可以包括在字線和局部位線的矩陣中布置的大量存儲單元。即使僅僅一個存儲單元有缺陷，NOR快閃存儲器通常也不能執行操作。隨著半導體器件的集成度增加，NOR快閃存儲器的存儲單元有缺陷的可能性也增加。有缺陷的存儲單元(下面被稱為“缺陷單元”)是NOR快閃存儲器的產量減小的主要原因。因此如果在NOR快閃存儲器中產生故障單元，那么連接到該故障單元的位線必須用冗余位線替換，以補償缺陷。例如，如果提供選擇故障單元的地址，那么可以用連接到該故障單元的全局位線替換連接到冗余單元的冗余位線，以允許NOR快閃存儲器正常地工作。

亦即，如果在主單元陣列區中產生故障單元，那么用冗余位線替換電連接到該故障單元的全局位線，以進行修復。因此，用連接到冗余單元的冗余位線代替連接到故障單元的位線的修復技術是重要的。

發明內容

例子實施例提供一種半導體存儲器件和用于修復半導體器件的方法。

例子實施例提供一種半導體存儲器件。該半導體存儲器件可以包括：包括主位線的主單元陣列區；包括第一冗余位線的第一冗余單元陣列區和包括第一虛擬位線的第一虛擬單元陣列區，該第一冗余單元陣列區和第一虛擬單元陣列區形成在主單元陣列區的一側；以及包括第二冗余位線的第二冗余單元陣列區和包括第二虛擬位線的第二虛擬單元陣列區，該第二冗余單元陣列區和第二虛擬單元陣列區形成在主單元陣列區的另一側。第一和第二冗余單元陣列區被布置為比第一和第二虛擬單元陣列區更靠近主單元陣列區。

另一例子實施例提供一種用于修復半導體存儲器件的方法。該方法可以包括，確定半導體存儲器件的主單元陣列區中是否有故障單元；選擇一個冗余單元陣列區的冗余位線，以代替電連接到確定的故障單元的主位線，該選擇基于冗余單元陣列區與半導體存儲器件的主單元陣列區的接近度；以及用選擇的冗余位線代替電連接到該確定的故障單元的主位線。例如，該選擇從最接近主單元陣列區的可用冗余單元陣列區中選擇冗余位線。

附圖說明

參考附圖，從詳細說明的審查中將更加明白例子實施例的上述及其他特點、方面和優點，其中：

圖1是圖示了半導體存儲器件的例子實施例的框圖；

圖2是圖示了半導體存儲器件的另一例子實施例的框圖；

圖3圖示了基于半導體存儲器件的位置的單元工作特性；以及

圖4是圖示了用于修復圖1所示的半導體存儲器件的方法的例子實施例的流程圖。

具體實施方式

現在將參考附圖更完全地描述本發明的各個例子實施例。但是，在此公開的具體結構和功能細節僅僅為了描述例子實施例，以及所屬領域的技術人員將理解，例子實施例可以以許多替換形式體現，不應該被解釋為僅僅限于在此闡述的實施例。

應當理解，盡管在此使用術語第一、第二等來描述各個元件，但是這些元件不應該受這些術語限制。這些術語僅僅用來將一個元件與另一元件相區別。例如，在不脫離例子實施例的范圍的條件下，下面論述的第一元件可以稱為第二元件，同樣，第二元件可以稱為第一元件。在此使用的術語“和/或”包括一個或多個相關列項的任意和所有組合。