[發明專利]光路-電路混載基板的制造方法有效
| 申請號: | 200710197128.1 | 申請日: | 2003-05-27 |
| 公開(公告)號: | CN101216576A | 公開(公告)日: | 2008-07-09 |
| 發明(設計)人: | 中芝徹;小寺孝兵;松嶋朝明;松下幸生;中西秀雄;橋本真治;根本知明;柳生博之;葛西悠葵 | 申請(專利權)人: | 松下電工株式會社 |
| 主分類號: | G02B6/13 | 分類號: | G02B6/13;G02B6/12;H05K1/02 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
| 地址: | 日本國大阪府*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 電路 混載基板 制造 方法 | ||
1.一種光路-電路混載基板的制造方法,其特征是,包括:
(1)向至少具備電配線形成用金屬層和光路形成層的光路-電路混載基板用材料的光路形成層照射活性能量線而在光路形成層形成光波導的核心部,并且回路形成層由通過活性能量線的照射而改變向溶劑的溶解性或者改變折射率的光透射性樹脂形成的工序;
(2)在核心部形成光的偏轉部的工序;以及
(3)加工電配線形成用金屬層而形成電路的工序。
2.如權利要求1所述的光路-電路混載基板的制造方法,其特征是:
光路-電路混載基板用材料,是權利要求7~13中任何一項所述的光路-電路混載基板用材料。
3.如權利要求1或者2所述的光路-電路混載基板的制造方法,其特征是:
以預先形成在光路-電路混載基板用材料的電配線形成用金屬層上的基準標記為基準,在規定位置形成光波導的核心部、偏轉部、電路。
4.如權利要求1或2所述的光路-電路混載基板的制造方法,其特征是:
在形成核心部的工序(1)中,在照射活性能量線的同時在光路形成層上形成基準標記,且以該基準標記為基準在規定位置形成偏轉部和電路。
5.如權利要求1~4中任一項所述的光路-電路混載基板的制造方法,其特征是:
在形成電路的工序(4)或者(3)之前,在與形成電路側的光路-電路混載基板用材料的表面相反側的光路-電路混載基板用材料的表面上,粘接基板。
6.如權利要求5所述的光路-電路混載基板的制造方法,其特征是:
還包含以下工序,即,基板是在表面或內部具備第二電路的配線基板,且電連接第二電路和形成的電路的工序。
7.如權利要求5或者6所述的光路-電路混載基板的制造方法,其特征是:
包括經由粘接劑層粘接基板的工序,且粘接劑層具有比核心部的折射率更低的折射率。
8.如權利要求1~7中任何一項所述的光路-電路混載基板的制造方法,其特征是:
光路-電路混載基板用材料還具備:構成與光路形成層的存在電配線形成用金屬層側相反側的光路-電路混載基板用材料的露出表面、或者構成與光路-電路混載基板用材料的粘接電配線形成用金屬層側相反側的光路-電路混載基板用材料的露出表面的覆蓋薄膜,
且在形成偏轉部的工序(2)中,以具備覆蓋薄膜的狀態,將相對光波導方向傾斜的面至少形成于核心部,并在該傾斜面上形成光反射部,此后,剝離覆蓋薄膜。
9.如權利要求1~8中任何一項所述的光路-電路混載基板的制造方法,其特征是:
將相對光波導方向傾斜的面至少形成于核心部,通過向該傾斜面供給包含金屬粒子的料漿而形成光反射部,并由此形成偏轉部。
10.如權利要求1~9中任何-項所述的光路-電路混載基板的制造方法,其特征是:
在形成電路時,去除電配線形成用金屬層的位于偏轉部上方的部分,然后在該部分涂敷光透射性樹脂。
11.如權利要求1~9中任何一項所述的光路-電路混載基板的制造方法,其特征是:
在形成電路時,去除電配線形成用金屬層的位于偏轉部上方的部分,之后以與殘存在該部分周圍的電配線形成用金屬層接觸的方式,在該部分以透鏡體的光軸通過偏轉部的方式配置透鏡體。
12.如權利要求1~11中任何一項所述的光路-電路混載基板的制造方法,其特征是:
光路-電路混載基板用材料具備如下的光透射性樹脂層,即,形成于光路形成層和電配線形成用金屬層之間、或者形成于粘接電配線形成用金屬層側的光路形成層的表面、并且折射率小于核心部的光透射性樹脂層。
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