[發明專利]光纖有效
| 申請號： | 200710197119.2 | 申請日： | 2007-12-04 |
| 公開（公告）號： | CN101196593A | 公開（公告）日： | 2008-06-11 |
| 發明（設計）人： | I·弗拉梅爾;L－A·德蒙莫里永;P·馬蒂伊塞 | 申請（專利權）人： | 德雷卡通信技術公司 |
| 主分類號： | G02B6/036 | 分類號： | G02B6/036;G02B6/02;G02B6/36;G02B6/38 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 | 代理人： | 王茂華 |
| 地址： | 荷蘭阿姆*** | 國省代碼： | 荷蘭;NL |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光纖 | ||
1.一種光纖，包括：
纖芯，具有半徑r1，包括至少兩種纖芯摻雜，其中所述纖芯具有與光學外包層的折射率差Δn1；
第一內包層，具有半徑r2以及與所述外包層的折射率差Δn2；
第二下陷型內包層，具有半徑r3以及與所述外包層的折射率差Δn3，該折射率差Δn3小于-3×10-3；
其中至少一種所述纖芯摻雜的徑向濃度在整個纖芯區域上連續地變化。
2.根據權利要求1所述的光纖，其中所述至少兩種纖芯摻雜中的每一種的徑向濃度在整個纖芯區域上連續地變化。
3.根據權利要求1或2所述的光纖，其中至少一種纖芯摻雜濃度的徑向變化使得其一階導數與光纖中傳輸的光信號的徑向功率部分P(r)成比例。
4.根據權利要求1到3中任意一項所述的光纖，其中所述光纖在波長1550nm處具有等于或大于100MHz的自發布里淵譜寬度。
5.根據權利要求1到4中任意一項所述的光纖，其中至少一種纖芯摻雜濃度的變化對應于大于或等于1×10-3的折射率變化。
6.根據權利要求1到5中任意一項所述的光纖，其中所述至少兩種纖芯摻雜從包括Ge、F、P、Al、Cl、B、N和堿金屬的組中選擇。
7.根據權利要求1到6中任意一項所述的光纖，其中所述纖芯摻雜之一是鍺(Ge)，其徑向濃度基于構成所述纖芯的材料在所述徑向濃度的半徑上的總成分而在1wt％到20wt％的范圍內變化。
8.根據權利要求1到7中任意一項所述的光纖，其中所述纖芯摻雜之一是氟(F)，其徑向濃度基于構成所述纖芯的材料在所述徑向濃度的半徑上的總成分而在0.3wt％到8wt％的范圍內變化。
9.根據權利要求1到8中任意一項所述的光纖，其中所述纖芯摻雜之一是磷(P)，其徑向濃度基于構成所述纖芯的材料在所述徑向濃度的半徑上的總成分而在1wt％到10wt％的范圍內變化。
10.根據權利要求1到9中任意一項所述的光纖，其中所述第二下陷型內包層包括鍺，其徑向濃度基于構成所述第二下陷型內包層的材料在所述徑向濃度的半徑上的總成分而在0.5wt％與7wt％之間。
11.根據權利要求1到10中任意一項所述的光纖，其中所述第二內包層與所述外包層的折射率差Δn3大于-15×10-3。
12.根據權利要求1到11中任意一項所述的光纖，其在波長1550nm處具有的有效面積大于或等于50μm2。
13.根據權利要求1到12中任意一項所述的光纖，其在波長1550nm處的衰減小于或等于0.3dB/km。
14.根據權利要求1到13中任意一項所述的光纖，其在波長1625nm處具有的圍繞15mm的彎曲半徑繞10圈的彎曲損耗等于或小于0.1dB。
15.根據權利要求1到14中任意一項所述的光纖，其在波長1625nm處具有的圍繞10mm的彎曲半徑繞1圈的彎曲損耗等于或小于0.2dB。
16.根據權利要求1到15中任意一項所述的光纖，其在波長1625nm處具有的圍繞7.5mm的彎曲半徑繞1圈的彎曲損耗等于或小于0.5dB。
17.根據權利要求1到16中任意一項所述的光纖，其在波長1550nm處具有的圍繞15mm的彎曲半徑繞10圈的彎曲損耗等于或小于0.02dB。
18.根據權利要求1到14中任意一項所述的光纖，其在波長1550nm處具有的圍繞10mm的彎曲半徑繞1圈的彎曲損耗等于或小于0.05dB。
19.根據權利要求1到15中任意一項所述的光纖，其在波長1550nm處具有的圍繞7.5mm的彎曲半徑繞1圈的彎曲損耗等于或小于0.2dB。
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