[發明專利]圖像傳感器及其制造方法無效
| 申請號: | 200710196917.3 | 申請日: | 2007-12-06 |
| 公開(公告)號: | CN101197385A | 公開(公告)日: | 2008-06-11 |
| 發明(設計)人: | 樸珍皞 | 申請(專利權)人: | 東部高科股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L21/822;G02B5/20;G02B3/00;G03F7/00 |
| 代理公司: | 隆天國際知識產權代理有限公司 | 代理人: | 鄭小軍 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖像傳感器 及其 制造 方法 | ||
1.一種圖像傳感器,包括:
多個光電二極管,位于半導體上;
濾色鏡,位于各個所述光電二極管上或上方;
平坦化層,覆蓋所述多個濾色鏡;以及
親水微透鏡,位于所述平坦化層上,與第一濾色鏡相對應,所述親水微透鏡與對應于一個或者多個第二濾色鏡的疏水微透鏡交替,所述疏水微透鏡與所述親水微透鏡的邊緣相接觸。
2.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其中所述親水微透鏡與所述疏水微透鏡位于一個矩陣中,其中一個所述親水微透鏡的周邊與四個所述疏水微透鏡相接觸。
3.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其中所述親水微透鏡與所述疏水微透鏡位于一個矩陣中,其中一個所述疏水微透鏡的周邊與四個所述親水微透鏡相接觸。
4.根據權利要求1所述的圖像傳感器,其中所述濾色鏡包括透射紅光的紅色濾色鏡、透射綠光的綠色濾色鏡、以及透射藍光的藍色濾色鏡,其中所述紅色濾色鏡、綠色濾色鏡和藍色濾色鏡具有相同的高度。
5.一種圖像傳感器的制造方法,包括下列步驟:
在半導體襯底上形成多個光電二極管結構;
在各個所述光電二極管上或者上方形成第一濾色鏡、鄰近所述第一濾色鏡的第二濾色鏡、以及鄰近所述第二濾色鏡的第三濾色鏡;
形成覆蓋所述第一濾色鏡、所述第二濾色鏡和所述第三濾色鏡的平坦化層;
在所述平坦化層上形成對應于所述第一濾色鏡和所述第三濾色鏡的第一微透鏡;以及
在所述平坦化層上形成對應于所述第二濾色鏡的第二微透鏡,所述第二微透鏡與所述第一微透鏡的邊緣接觸。
6.根據權利要求5所述的方法,其中形成所述第一微透鏡的步驟包括:
在所述平坦化層上形成第一光敏層;
通過圖案化所述第一光敏層,在所述平坦化層上形成對應于所述第一濾色鏡和所述第三濾色鏡的第一微透鏡前體;以及
回流所述第一微透鏡前體。
7.根據權利要求5所述的方法,其中形成所述第二微透鏡的方法包括:
在所述平坦化層上形成第二光敏層;
通過圖案化所述第二光敏層,在所述平坦化層上形成對應于所述第二濾色鏡的第二微透鏡前體;以及
回流所述第二微透鏡前體。
8.根據權利要求5所述的方法,其中所述第一濾色鏡是紅色濾色鏡,所述第三濾色鏡是藍色濾色鏡,以及所述第二濾色鏡是綠色濾色鏡。
9.根據權利要求5所述的方法,其中所述第一微透鏡是疏水的,并且所述第二微透鏡是親水的。
10.一種圖像傳感器,包括:
多個光電二極管,位于半導體襯底上;
濾色層,位于各個所述光電二極管上或者上方,包括具有第一高度的第一濾色鏡和具有不同于所述第一高度的第二高度的第二濾色鏡,所述第二濾色鏡位于所述第一濾色鏡的邊緣處;以及
多個微透鏡,包括位于所述第一濾色鏡上或者上方的第一微透鏡和位于所述第二濾色鏡上或者上方的第二微透鏡。
11.根據權利要求10所述的圖像傳感器,其中所述第一濾色鏡是紅色濾色鏡或者藍色濾色鏡。
12.根據權利要求10所述的圖像傳感器,其中所述第二濾色鏡是綠色濾色鏡。
13.根據權利要求10所述的圖像傳感器,其中所述第一微透鏡包括具有第一折射率的親水材料。
14.根據權利要求13所述的圖像傳感器,其中所述第二微透鏡包括具有第二折射率的疏水材料。
15.根據權利要求10所述的圖像傳感器,其中所述第一微透鏡包括具有第一折射率的疏水材料。
16.根據權利要求15所述的圖像傳感器,其中所述第二微透鏡包括具有第二折射率的親水材料。
17.根據權利要求10所述的圖像傳感器,其中所述第一微透鏡和所述第二微透鏡包括同一材料,并且具有不同的厚度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





