[發(fā)明專利]用于具有負電壓輸入端子的集成電路的靜電放電保護電路無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710196873.4 | 申請日: | 2007-12-07 |
| 公開(公告)號: | CN101197366A | 公開(公告)日: | 2008-06-11 |
| 發(fā)明(設計)人: | 楊大勇;黃志豐 | 申請(專利權)人: | 崇貿(mào)科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L23/60;H02H9/00 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人: | 蒲邁文 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 具有 電壓 輸入 端子 集成電路 靜電 放電 保護 電路 | ||
技術領域
本發(fā)明涉及一種保護電路。更具體地說,本發(fā)明涉及一種集成電路的保護電路。
背景技術
靜電放電(electric?static?discharge,ESD)保護電路通常用于集成電路中以保護集成電路免受靜電放電,且通常用于雷電浪涌(lightening?surge)保護。參看圖1,可控硅整流器(silicon-controlled?rectifier,SCR)20并聯(lián)連接到要保護的電路10。當將浪涌電壓引入到電路10中時,可控硅整流器20將電壓箝位到絕對最大值以下,以避免電路10由于過電壓而崩潰。然而,如果在正常操作期間將負電壓施加到I/O端子,那么此ESD保護電路就不可工作。將響應于負電壓而從I/O端子處汲取襯底電流,此將造成電路10的異常操作。本發(fā)明的主要目的是克服此缺點。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種用于保護集成電路使其免受ESD損壞的ESD保護電路。所述ESD保護電路包含第一驟回(snapback)裝置,其連接到第一端子以用于在集成電路操作期間維持負輸入電壓。第一驟回裝置包含耦合到集成電路的第一端子的正極。第一驟回裝置的負極耦合到集成電路的電源電壓(VCC)端子。第二驟回裝置具有耦合到VCC端子的負極。第二驟回裝置的正極連接到集成電路的接地。所述驟回裝置作為可控硅整流器。當裝置的p-n結(jié)崩潰時,裝置的電壓將驟回以吸收浪涌電壓。因此,所述ESD保護電路保護集成電路使其免受ESD損壞。此外,第一二極管的正極連接到集成電路的第二端子。在集成電路的正常操作期間,沒有負電壓被輸入到第二端子。第一二極管的負極耦合到VCC端子。第二二極管的負極連接到第二端子(例如I/O端子)。第二二極管的正極耦合到接地。有利地,本發(fā)明的ESD保護電路沒有從第一端子連接到接地的p-n結(jié)裝置,此允許在集成電路操作期間輸入負電壓。應了解,前述概括描述和以下詳細描述是示范性的,且希望提供所主張的本發(fā)明的進一步解釋。
附圖說明
本發(fā)明包含附圖來提供對本發(fā)明的進一步理解,且并入本說明書中并構成本說明書的一部分。附圖說明本發(fā)明的實施例并連同描述內(nèi)容一起用于闡述本發(fā)明的原理。
圖1繪示包含ESD保護裝置的傳統(tǒng)電路。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的用于集成電路的負電壓輸入端子的ESD保護電路。
圖3是根據(jù)本發(fā)明的驟回裝置的等效電路。
圖4繪示根據(jù)本發(fā)明的驟回裝置的橫截面圖。
圖5繪示根據(jù)本發(fā)明的驟回裝置的電壓-電流特性。
圖6A到6D繪示響應于各種輸入浪涌的ESD保護流程圖。
具體實施方式
圖2是集成電路200的ESD保護電路的優(yōu)選實施例。驟回裝置50連接到端子IN以用于在集成電路200的正常操作期間接收負電壓輸入。所述驟回裝置(第一驟回裝置)50包含一正極(A)耦合到集成電路200的端子(第一端子)IN。驟回裝置50的負極(K)耦合到集成電路200的VCC端子(圖中表示為VCC)。另一驟回裝置(第二驟回裝置)60具有耦合到VCC端子的負極(K)。所述驟回裝置60的正極(A)連接到集成電路200的接地GND。驟回裝置50和60作為可控硅整流器。當裝置的p-n結(jié)崩潰時,驟回裝置50和60的電壓將驟回以吸收輸入浪涌。因此,驟回裝置50和60可保護集成電路200使其免受ESD損壞。此外,又具有二極管(第一二極管)70的正極連接到集成電路200的I/O端子(第二端子)。在集成電路200的操作期間,沒有負電壓被輸入到I/O端子。二極管70的負極耦合到VCC端子。二極管(第二二極管)75的負極連接到I/O端子。二極管75的正極耦合到接地GND。
圖3是驟回裝置50和60(如圖2所示)的等效電路,其包含寄生p-n-p雙極晶體管21和寄生n-p-n雙極晶體管25。寄生p-n-p雙極晶體管21的發(fā)射極連接到驟回裝置的負極(K)。寄生p-n-p雙極晶體管21的基極通過寄生電阻22而耦合到驟回裝置的負極(K)。寄生n-p-n雙極晶體管25的發(fā)射極連接到驟回裝置的正極(A)。寄生n-p-n雙極晶體管25的基極經(jīng)由寄生電阻26耦合到驟回裝置的正極(A)。寄生p-n-p雙極晶體管21的集電極耦合到寄生n-p-n雙極晶體管25的集電極。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





