[發(fā)明專利]薄膜晶體管裝置、圖像顯示裝置及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710196847.1
• 申請日: 2007-12-11
• 公開（公告）號(hào): CN101202296A
• 公開（公告）日: 2008-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 芝健夫;安藤正彥;川崎昌宏;藤森正成
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社日立制作所
• 主分類號(hào): H01L27/28
• 分類號(hào): H01L27/28;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所
• 代理人: 季向?qū)?/td>

1.一種薄膜晶體管裝置，包括具有多個(gè)電路塊的矩陣陣列部和配置在上述矩陣陣列部周邊的由多個(gè)電路塊構(gòu)成的外圍集成電路部，其特征在于：

上述矩陣陣列部的電路元件使用有機(jī)半導(dǎo)體薄膜晶體管元件而構(gòu)成，上述外圍集成電路元件使用硅晶體管元件或多晶硅薄膜晶體管元件中的至少一者而構(gòu)成，

上述電路元件和上述硅晶體管元件或多晶硅薄膜晶體管元件中的至少一者設(shè)置在同一基板上，

上述有機(jī)半導(dǎo)體薄膜晶體管元件的電極和上述硅晶體管元件或多晶硅薄膜晶體管元件中的至少一者的電極之間通過設(shè)于基板上的布線層連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管裝置，其特征在于：

上述矩陣陣列部和上述外圍集成電路部之間有臺(tái)階，為了減輕橫跨該臺(tái)階而布線的上述布線層的上述臺(tái)階處的影響而設(shè)置有用于使臺(tái)階處的高度差緩和的錐形部，并在該錐形部上設(shè)有上述布線層的一部分。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管裝置，其特征在于：

上述硅晶體管是除去了薄膜SOI基板的支承硅基板后的單晶硅薄膜晶體管。

4.一種圖像顯示裝置，包括具有多個(gè)像素的顯示部和配置在上述顯示部周邊的由多個(gè)電路塊構(gòu)成的外圍集成電路部，其特征在于：

上述顯示部的像素電路元件使用有機(jī)半導(dǎo)體薄膜晶體管元件而構(gòu)成，

上述外圍集成電路部使用硅晶體管元件或多晶硅薄膜晶體管元件中的至少一者而構(gòu)成，

上述電路元件和上述硅晶體管元件或多晶硅薄膜晶體管元件中的至少一者設(shè)置在同一基板上，

上述有機(jī)半導(dǎo)體薄膜晶體管元件的電極和上述硅晶體管元件或多晶硅薄膜晶體管元件中的至少一者的電極之間通過設(shè)于基板上的布線層連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的圖像顯示裝置，其特征在于：

上述硅晶體管是除去了薄膜SOI基板的支承硅基板后的單晶硅薄膜晶體管。

6.一種薄膜晶體管裝置的制造方法，

上述薄膜晶體管裝置包括：

具有多個(gè)電路塊的矩陣陣列部、和

配置在上述矩陣陣列部周邊的具有多個(gè)電路塊的外圍集成電路部，

其中，上述矩陣陣列部的電路使用有機(jī)半導(dǎo)體薄膜晶體管元件而形成，上述外圍集成電路使用硅晶體管元件或多晶硅薄膜晶體管元件而形成，

上述制造方法的特征在于，包括以下步驟：

步驟(a)，在第一支承基板上形成上述硅晶體管元件或上述多晶硅薄膜晶體管元件中的至少一者，形成配置在上述陣列部周邊的具有多個(gè)電路塊的外圍集成電路部，然后，使上述第一支承基板的厚度變薄或除去上述第一支承基板而將上述硅晶體管元件或上述多晶硅薄膜晶體管元件中的至少一者設(shè)置在第二支承基板上，

或者是當(dāng)在上述第一支承基板上形成上述硅晶體管元件或上述多晶硅薄膜晶體管元件中的至少一者之后，在上述硅晶體管元件或上述多晶硅薄膜晶體管元件中的至少一者的與上述第一支承基板側(cè)相反的一側(cè)設(shè)置第二支承基板，然后，使上述第一支承基板的未形成有上述元件一側(cè)的面的厚度變薄或除去上述第一支承基板；

步驟(b)，在上述步驟(a)之后，通過在上述第二支承基板上利用印刷而形成有機(jī)半導(dǎo)體薄膜晶體管和布線層，來形成矩陣陣列部；

步驟(c)，通過在上述第二支承基板上形成的布線層將上述有機(jī)半導(dǎo)體薄膜晶體管元件的電極和上述硅晶體管元件或上述多晶硅薄膜晶體管元件中的至少一者的電極之間連接起來。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管裝置的制造方法，其特征在于：

還包括使上述第一支承基板的形成有上述硅晶體管元件或上述多晶硅薄膜晶體管元件中的至少一者的一側(cè)與上述第二支承基板表面相對，將上述硅晶體管元件或上述多晶硅薄膜晶體管元件固定在上述第二支承基板表面上的步驟。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管裝置的制造方法，其特征在于：

上述硅晶體管是除去了薄膜SOI基板的支承硅基板的單晶硅薄膜晶體管。