[發(fā)明專利]具有熱障的相變化存儲單元及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710196462.5 | 申請日： | 2007-12-05 |
| 公開（公告）號： | CN101197317A | 公開（公告）日： | 2008-06-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳士弘;龍翔瀾;陳逸舟 | 申請（專利權(quán)）人： | 旺宏電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/82 | 分類號： | H01L21/82;H01L21/768;H01L27/24;H01L23/522;H01L45/00 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 熱障 相變 存儲 單元 及其 制造 方法 | ||
1.一種制造存儲單元的方法，包括：
提供襯底；
在所述襯底上沉積電介質(zhì)層；
在所述電介質(zhì)層中形成過孔；
在所述過孔中沉積導(dǎo)電材料；
平面化所述電介質(zhì)層與所述導(dǎo)電材料，以形成第一表面；
至少蝕刻所述導(dǎo)電材料，以形成具有外露的側(cè)壁部分的凹口且所述導(dǎo)電材料的第二表面低于所述第一表面；
將導(dǎo)電阻擋層沉積在所述第二表面上以及所述外露側(cè)壁部分上；
在所述導(dǎo)電阻擋層上沉積熱隔離材料；
平面化所述熱隔離材料以及所述導(dǎo)電阻擋層，以形成外露的導(dǎo)電阻擋表面；
在所述熱隔離材料上形成底電極，所述底電極延伸至所述外露導(dǎo)電阻擋表面上并與其接觸；
在所述底電極上形成存儲材料；以及
形成頂電極，其電接觸至所述存儲材料。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述導(dǎo)電阻擋層包括氮化鈦，且其厚度為約1至10納米。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述底電極的厚度不大于30納米。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述熱隔離材料包括旋涂玻璃。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述外露導(dǎo)電阻擋表面限定圍繞所述熱隔離材料的外圍，且所述底電極覆蓋所述外圍。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述在所述底電極上形成存儲材料的步驟、以及所述形成電接觸至所述存儲材料的頂電極的步驟，還包括：形成存儲核心，其具有亞光刻柱狀存儲材料以及所述頂電極。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述在所述過孔沉積導(dǎo)電材料的步驟形成裂縫，且其中所述至少蝕刻所述導(dǎo)電材料的步驟外露裂縫開口，所述熱隔離材料覆蓋所述裂縫開口以提供表面，所述表面與所述外露導(dǎo)電阻擋表面等高。
8.一種用以制造存儲單元的方法，包括：
提供襯底；
在所述襯底上沉積電介質(zhì)層；
在所述電介質(zhì)層中形成過孔；
在所述過孔中沉積導(dǎo)電材料；
平面化所述電介質(zhì)層與所述導(dǎo)電材料，以形成第一表面；
至少蝕刻所述導(dǎo)電材料，以形成具有外露的側(cè)壁部分的凹口且所述導(dǎo)電材料的第二表面低于所述第一表面；
將導(dǎo)電阻擋層沉積在所述第二表面上以及所述外露側(cè)壁部分上；
在所述導(dǎo)電阻擋層上沉積熱隔離材料；
平面化所述熱隔離材料以及所述導(dǎo)電阻擋層，以形成外露的導(dǎo)電阻擋表面；
將底電極層形成在所述熱隔離材料上以及所述外露導(dǎo)電阻擋表面上；
在所述底電極層上形成存儲核心，所述存儲核心具有頂電極、以及位于所述頂電極與所述底電極層之間的亞光刻柱狀存儲材料；
形成側(cè)壁隔離，其環(huán)繞位于所述底電極層上的所述存儲核心；以及
隨所述側(cè)壁隔離而從所述底電極層形成底電極，所述底電極接觸所述外露導(dǎo)電阻擋表面的至少一部分，以將所述亞光刻柱狀存儲材料耦合到所述導(dǎo)電材料。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中所述外露導(dǎo)電材料阻擋表面形成環(huán)狀外圍，其具有第一直徑，且所述側(cè)壁隔離具有大于所述第一直徑的第二直徑。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述底電極覆蓋所述環(huán)狀外圍。
11.一種存儲單元，包括：
襯底；
電介質(zhì)層，其設(shè)置于所述襯底上并具有第一表面；
過孔，位于所述電介質(zhì)層中并從所述第一表面延伸，所述過孔具有上部與下部，所述上部被側(cè)壁部分所環(huán)繞；
接點，位于所述過孔的所述下部中，并具有第二表面；
導(dǎo)電阻擋層，位于所述接點上并電接觸至所述接點，所述導(dǎo)電阻擋層沿著所述側(cè)壁部分延伸至所述第一表面，以在所述第一表面處形成導(dǎo)電阻擋表面，所述導(dǎo)電阻擋層限定內(nèi)部；
熱隔離材料，其位于所述導(dǎo)電阻擋層的所述內(nèi)部中；
底電極，設(shè)置于所述熱隔離材料以及所述導(dǎo)電阻擋表面上并延伸橫跨該二者，使得所述底電極底電極電耦合到所述接點；
存儲材料元件，位于所述底電極上，所述熱隔離材料在所述存儲材料元件與所述接點之間提供熱隔離效果；以及
頂電極，形成于所述存儲材料元件上，并電接觸至所述存儲材料元件。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
