[發明專利]半導體處理用的成膜裝置及其使用方法

有效

• 申請號: 200710196363.7
• 申請日: 2007-11-30
• 公開（公告）號: CN101192534A
• 公開（公告）日: 2008-06-04
• 發明（設計）人: 松浦廣行
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/318
• 分類號: H01L21/318;C23C16/44
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 龍淳

1.一種成膜裝置的使用方法，該成膜裝置具備具有以選自石英和碳化硅構成的組中的材料為主成分的內面的處理容器，該方法的特征在于，包括：

在所述處理容器內，進行在制品用的被處理基板上形成硅氮化膜的成膜處理的工序；

接著，從所述處理容器卸載所述制品用的被處理基板的工序；和

之后，將氧化氣體供向沒有容納制品用的被處理基板的前述處理容器內，進行使附著在前述處理容器的前述內面上的副生成物膜在從其表面至規定深度的部分上變化為氧比氮豐富的狀態的氧化處理的工序。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：

所述氧化處理具有在通過等離子體激勵機構激勵所述氧化氣體的狀態下將該氧化氣體供向所述處理容器內的期間，利用這樣生成的所述氧化氣體的自由基對所述副生成物膜進行氧化。

3.如權利要求2所述的方法，其特征在于：

所述氧化氣體具有氧。

4.如權利要求2所述的方法，其特征在于：

所述氧化處理將所述處理容器內的壓力設定為30Pa～300Pa。

5.如權利要求2所述的方法，其特征在于：

所述氧化處理將所述處理容器的所述內面的溫度設定為400℃～650℃。

6.如權利要求1所述的方法，其特征在于：

所述規定的深度為1～10nm。

7.如權利要求1所述的方法，其特征在于：

所述氧化處理，在通過等離子體激勵機構不激勵所述氧化氣體的狀態下將該氧化氣體供向所述處理容器內.

8.如權利要求7所述的方法，其特征在于：

所述氧化處理將所述處理容器的所述內面的溫度設定為400℃～800℃。

9.如權利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：

在所述氧化處理后，向沒有容納制品用的被處理基板的所述處理容器內供給氮化氣體，進行使被氧化過的所述副生成物膜的表面層回復到氮比氧豐富的狀態的氮化處理的工序。

10.如權利要求9所述的方法，其特征在于：

所述表面層的厚度為0.1～0.5nm。

11.如權利要求9所述的方法，其特征在于：

所述氮化處理具有在通過等離子體激勵機構激勵所述氮化氣體的狀態下將該氮化氣體供向所述處理容器內的期間，利用這樣生成的所述氮化氣體的自由基對所述副生成物膜的表面層進行氮化。

12.如權利要求9所述的方法，其特征在于：

所述氮化氣體具有氨。

13.如權利要求11所述的方法，其特征在于：

所述氮化處理將所述處理容器內的壓力設定為50Pa～100Pa。

14.如權利要求11所述的方法，其特征在于：

所述氮化處理將所述處理容器的所述內面的溫度設定為400℃～650℃。

15.如權利要求1所述的方法，其特征在于：

所述成膜處理具有下述工序，即將具有硅源氣體的第一成膜氣體和具有氮化氣體的第二成膜氣體供向所述處理容器內，利用CVD形成硅氮化膜的工序。

16.如權利要求15所述的方法，其特征在于：

在通過多次反復進行所述成膜處理導致所述硅氮化膜的累積厚度超過規定值之前，執行所述氧化處理。

17.如權利要求15所述的方法，其特征在于，進一步包括：

所述氧化處理后，向沒有容納制品用的被處理基板的所述處理容器內供給與所述第二成膜氣體用的氮化氣體相同的氮化氣體，進行使被氧化過的所述副生成物膜的表面層回復到氮比氧豐富的狀態的氮化處理的工序。

18.如權利要求1所述的方法，其特征在于：

所述處理容器以在上下設置間隔并在疊層的狀態下容納多塊被處理基板的方式構成，在所述處理容器的周圍配置用于加熱所述多塊被處理基板的加熱器。