[發明專利]樹脂膜評價方法和制造半導體裝置的方法

無效

• 申請號: 200710196089.3
• 申請日: 2007-12-03
• 公開（公告）號: CN101192555A
• 公開（公告）日: 2008-06-04
• 發明（設計）人: 上柳壽子;柴田聰;金木勵起;宮川纮平
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/266;G03F7/42
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 龍淳

1.一種樹脂膜評價方法，包括以下步驟：

用荷能帶電粒子照射在絕緣層上形成有樹脂膜的基板，所述樹脂膜帶有露出所述絕緣層的表面的開口；

測量用所述荷能帶電粒子照射的基板表面的表面電位；

獲得所述樹脂膜和所述開口中露出的絕緣膜之間的表面電位差；和

基于所述表面電位差，估計隨著用所述荷能帶電粒子照射的所述樹脂膜上進行的處理的完成情況而發生變化的物理量。

2.如權利要求1所述的樹脂膜評價方法，進一步包括確定被估計的物理量是否在預定的容許范圍內或者所述表面電位差是否在與所述容許范圍相對應的電位差范圍內，從而確定所述樹脂膜的材料、所述荷能帶電粒子的照射條件或所述樹脂膜的處理條件是否適當的步驟。

3.一種樹脂膜評價方法，包括以下步驟：

用荷能帶電粒子分別以不同的照射劑量照射多塊基板，每塊基板均在規定厚度的絕緣層上形成有樹脂膜，所述樹脂膜帶有露出所述絕緣層的表面的固定面積的開口；

測量用所述荷能帶電粒子照射的每塊基板的所述開口中露出的絕緣膜的表面電位，并獲得所述表面電位和荷能帶電粒子照射劑量之間的關系；

基于所述關系獲得產生臨界電位的荷能帶電粒子照射劑量，所述臨界電位是所述開口中露出的絕緣膜的最大表面電位；和

基于所述臨界電位或與所述臨界電位相對應的荷能帶電粒子照射劑量，確定在規定的荷能帶電粒子照射劑量下，由于所述荷能帶電粒子而在所述絕緣膜中積累的電荷是否流過所述絕緣膜。

4.一種樹脂膜評價方法，包括以下步驟：

在規定的條件下用荷能帶電粒子照射多塊基板，每塊基板均在絕緣層上形成有不同成分制成的多種樹脂膜中的一種樹脂膜，所述樹脂膜帶有露出所述絕緣層的表面的開口；

測量用所述荷能帶電粒子照射的所述多塊基板的表面電位；

獲得所述樹脂膜和每塊基板上的所述開口中露出的絕緣膜之間的表面電位差；和

比較所述表面電位差，從而比較當用所述荷能帶電粒子照射每塊基板時在每個樹脂膜中出現的變質層的變質進度。

5.如權利要求1所述的樹脂膜評價方法，其中所述表面電位差是所述樹脂膜和包括所述開口的邊緣的區域中的絕緣膜之間的表面電位差。

6.如權利要求2所述的樹脂膜評價方法，其中所述表面電位差是所述樹脂膜和包括所述開口的邊緣的區域中的絕緣膜之間的表面電位差。

7.如權利要求4所述的樹脂膜評價方法，其中所述表面電位差是所述樹脂膜和包括所述開口的邊緣的區域中的絕緣膜之間的表面電位差。

8.如權利要求1所述的樹脂膜評價方法，其中在所述樹脂膜上進行的所述處理是所述樹脂膜的去除工藝，并且所述物理量是在所述樹脂膜去除工藝之后所述樹脂膜的殘渣計數或殘渣密度。

9.如權利要求2所述的樹脂膜評價方法，其中在所述樹脂膜上進行的所述處理是所述樹脂膜的去除工藝，并且所述物理量是在所述樹脂膜去除工藝之后所述樹脂膜的殘渣計數或殘渣密度。

10.如權利要求8所述的樹脂膜評價方法，其中所述樹脂膜去除工藝是化學溶液去除工藝。

11.如權利要求9所述的樹脂膜評價方法，其中所述樹脂膜去除工藝是化學溶液去除工藝。

12.如權利要求1至11中的任一項所述的樹脂膜評價方法，其中所述荷能帶電粒子是注入離子，并且所述樹脂膜是光致抗蝕劑。

13.如權利要求1至11中的任一項所述的樹脂膜評價方法，其中所述荷能帶電粒子是等離子體中的微粒，并且所述樹脂膜是光致抗蝕劑。

14.如權利要求12所述的樹脂膜評價方法，其中所述絕緣膜是氧化硅膜。

15.如權利要求13所述的樹脂膜評價方法，其中所述絕緣膜是氧化硅膜。

16.如權利要求12所述的樹脂膜評價方法，其中所述絕緣膜的厚度至少為Rp1+3ΔRp1或更大，其中Rp1是注入離子在所述絕緣膜中的投影射程，并且ΔRp1是所述投影射程的標準偏差。