[發明專利]發光器件的封裝結構及其制造方法無效
| 申請號： | 200710195637.0 | 申請日： | 2007-12-04 |
| 公開（公告）號： | CN101452979A | 公開（公告）日： | 2009-06-10 |
| 發明（設計）人： | 趙自皓;許伯聰 | 申請（專利權）人： | 億光電子工業股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 | 代理人： | 梁 揮;祁建國 |
| 地址： | 臺灣省臺北縣土*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光 器件 封裝 結構 及其 制造 方法 | ||
1.一種發光器件的封裝結構，其特征在于，至少包括：
一封裝基板；
至少一第一接合墊以及至少一第二接合墊，設于該封裝基板的一表面上；
一發光器件芯片，設于該封裝基板的該表面之上，其中該發光器件芯片的一表面上包括至少一第一電性電極墊以及至少一第二電性電極墊；以及
至少一第一電性接合凸塊以及至少一第二電性接合凸塊，該第一電性接合凸塊與該第二電性接合凸塊分別對應接合在該第一接合墊與該第二電性電極墊之間、以及該第二接合墊與該第一電性電極墊之間，其中該第一電性接合凸塊與該第二電性接合凸塊的材料選自于由多個熱電材料所組成的一族群。
2.根據權利要求1所述的發光器件的封裝結構，其中該些熱電半導體材料選自于由碲、銻、鉍、硒及其合金所組成的一族群。
3.根據權利要求1所述的發光器件的封裝結構，其特征在于，該封裝基板為一氧化鋁基板、一氮化鋁基板或一鉆石鍍膜基板。
4.根據權利要求1所述的發光器件的封裝結構，其特征在于，該第一接合墊、該第二接合墊、該第一電性電極墊與該第二電性電極墊的材料為銅或銀。
5.根據權利要求1所述的發光器件的封裝結構，其特征在于，該第一電性接合凸塊的電性為n型，且該第二電性接合凸塊的電性為p型。
6.一種發光器件的封裝結構的制造方法，其特征在于，至少包括：
提供一封裝基板，其中該封裝基板的一表面上設有至少一第一接合墊以及至少一第二接合墊；
形成至少一第一電性接合凸塊與至少一第二電性接合凸塊，該第一電性接合凸塊與該第二電性接合凸塊分別對應接合在該第一接合墊與該第二接合墊上，其中該第一電性接合凸塊與該第二電性接合凸塊的材料選自于由多個熱電半導體材料所組成的一族群；
提供一發光器件芯片，其中該發光器件芯片的一表面上設有至少一第一電性電極墊以及至少一第二電性電極墊；以及
進行一芯片倒裝焊接步驟，以使該第一電性電極墊與該第二電性電極墊分別接合在該第二電性接合凸塊與該第一電性接合凸塊上。
7.根據權利要求6所述的發光器件的封裝結構的制造方法，其特征在于，該熱電半導體材料選自于由碲、銻、鉍、硒及其合金所組成的一族群。
8.根據權利要求6所述的發光器件的封裝結構的制造方法，其特征在于，該封裝基板為一氧化鋁基板、一氮化鋁基板或一鉆石鍍膜基板。
9.根據權利要求6所述的發光器件的封裝結構的制造方法，其特征在于，該第一接合墊、該第二接合墊、該第一電性電極墊與該第二電性電極墊的材料為銅或銀。
10.根據權利要求6所述的發光器件的封裝結構的制造方法，其特征在于，該第一電性接合凸塊的電性為n型，且該第二電性接合凸塊的電性為p型。
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