[發(fā)明專(zhuān)利]有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710195346.1
• 申請(qǐng)日: 2007-12-13
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101202299A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李在允;趙興烈;金京滿(mǎn);李晙碩;金度亨;李文基;南宇鎮(zhèn);金廷炫
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: LG.菲利浦LCD株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01L27/32
• 分類(lèi)號(hào): H01L27/32;H01L25/00;H01L25/18;H01L23/488;H01L21/60;H05B33/12;H05B33/10;G09F9/30
• 代理公司: 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 徐金國(guó);梁揮

1.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件，包括：

在包含第一區(qū)域和第二區(qū)域的第一基板上的第一電極，第二區(qū)域基本上圍繞第一區(qū)域；

在第二區(qū)域中的第一電極上的像素分離圖案；

至少在第一區(qū)域中的有機(jī)發(fā)光圖案；

在有機(jī)發(fā)光圖案上的第二電極；

在像素分離圖案上的接觸電極，該接觸電極與第二電極電連接；和

在面對(duì)第一基板的第二基板上的薄膜晶體管，該薄膜晶體管與接觸電極電連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，像素分離圖案具有底切形狀。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的器件，其特征在于，進(jìn)一步包括在第一電極與像素分離圖案的底切區(qū)域相對(duì)應(yīng)的部分上的輔助電極。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，進(jìn)一步包括在第一基板與第一電極之間的輔助電極。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，第二區(qū)域具有圍繞第一區(qū)域邊緣的框架形狀。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，像素分離圖案由有機(jī)材料、無(wú)機(jī)材料及其疊層中的一個(gè)形成。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，進(jìn)一步包括：

在第二基板上的鈍化層，該鈍化層覆蓋薄膜晶體管；和

在鈍化層上的涂層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的器件，其特征在于，進(jìn)一步包括在涂層上的第一接觸元件，第一接觸元件與薄膜晶體管電連接并與所述接觸電極接觸，從而將薄膜晶體管與第二電極電連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，其特征在于，進(jìn)一步包括鈍化層上的第二接觸元件，第二接觸元件與薄膜晶體管的漏極和第一接觸元件電連接。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，其特征在于，第一接觸元件具有對(duì)應(yīng)于至少第二區(qū)域的形狀。

11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的器件，其特征在于，進(jìn)一步包括在接觸電極與第一接觸元件之間的導(dǎo)電彈性元件。

12.一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件的制造方法，該方法包括：

在包含第一區(qū)域和第二區(qū)域的第一基板上形成第一電極，第二區(qū)域基本上圍繞第一區(qū)域；

在第二區(qū)域中的第一電極上形成像素分離圖案；

在至少第一區(qū)域中形成有機(jī)發(fā)光圖案；

在有機(jī)發(fā)光圖案上形成第二電極，在像素分離圖案上形成接觸電極，其中接觸電極與第二電極電連接；

提供包含薄膜晶體管的第二基板；和

將第一基板與第二基板粘接，將接觸電極與薄膜晶體管電連接。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述形成像素分離圖案的步驟包括：

在第二區(qū)域中的第一電極上形成導(dǎo)電圖案；

在導(dǎo)電圖案上形成絕緣層；

在絕緣層上形成光刻膠圖案，該光刻膠圖案暴露至少導(dǎo)電圖案的中部；

使用光刻膠圖案作為掩模蝕刻絕緣層，從而形成絕緣圖案；和

使用絕緣圖案作為掩模蝕刻導(dǎo)電圖案，從而形成像素分離圖案。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括通過(guò)在導(dǎo)電圖案的蝕刻過(guò)程中將一部分導(dǎo)電圖案留在第一電極上而形成輔助電極。

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述形成像素分離圖案的步驟包括：

在第一電極上形成犧牲圖案；

在犧牲圖案上形成絕緣層，該絕緣層具有與犧牲圖案不同的蝕刻選擇性；

在絕緣層上形成光刻膠圖案，該光刻膠圖案暴露至少犧牲圖案的中部；

使用光刻膠圖案作為掩模蝕刻絕緣層，從而形成絕緣圖案；和

使用絕緣圖案作為掩模蝕刻犧牲圖案，從而形成像素分離圖案。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括在第二基板與第一電極之間形成第三電極。

17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括：

在第二基板上形成鈍化層，該鈍化層覆蓋薄膜晶體管；和

在鈍化層上形成涂層。