[發明專利]圖像傳感器及其制造方法無效
| 申請號: | 200710194893.8 | 申請日: | 2007-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN101211941A | 公開(公告)日: | 2008-07-02 |
| 發明(設計)人: | 尹盈提;樸珍皞;柳尚旭 | 申請(專利權)人: | 東部高科股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L21/822 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖像傳感器 及其 制造 方法 | ||
1.一種裝置,包括:
含有多個光電二極管的半導體襯底;
在所述半導體襯底上方形成的絕緣層;
在所述絕緣層上方形成的濾色層;
在所述濾色層上方形成的最上表面中具有多個交替的凸起區域和凹入區域的平坦層;以及
在所述凸起區域和所述凹入區域上方形成的多個微透鏡。
2.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述平坦層至少包含有機薄膜和無機薄膜中的一個。
3.根據權利要求2所述的裝置,其特征在于,所述無機薄膜至少包含氮化物薄膜和正硅酸乙酯基氧化物薄膜中的一個。
4.根據權利要求2所述的裝置,其特征在于,所述有機薄膜包含光刻膠薄膜。
5.根據權利要求1所述的裝置,其特征在于,所述濾色層包含紅濾色層、綠濾色層和藍濾色層,以及排列所述凸起區域和凹入區域以與該紅濾色層、綠濾色層和藍濾色層中的每一個相對應。
6.一種方法,該方法包含:
提供具有其中形成的多個光電二極管的半導體襯底;
在所述半導體襯底上方形成絕緣層;
在所述絕緣層上方形成濾色層并與所述多個光電二極管對應;
在所述濾色層上方的像素周期中形成重復排列的多個凸起區域和多個凹入區域;以及然后
在所述凸起區域和所述凹入區域上方形成多個微透鏡。
7.一種方法,該方法包含:
提供具有其中形成的多個光電二極管的半導體襯底;
在所述半導體襯底上方形成絕緣層;
在所述絕緣層上方形成濾色層并與所述多個光電二極管對應;
順序地在所述濾色層上方形成第一平坦層以及在所述第一平坦層上方第二平坦層;
構圖所述第二平坦層以暴露所述第一平坦層的最上表面的區域,其中,所述第一平坦層的最上表面的每一個暴露區域都包含凹入區域,并且所述構圖的第二平坦層的最上表面包含凸起區域;以及隨后
在所述每一個凸起區域和凹入區域上方形成微透鏡。
8.根據權利要求7所述的方法,其特征在于,所述多個光電二極管包含紅色光電二極管、綠色光電二極管以及藍色光電二極管。
9.根據權利要求8所述的方法,其特征在于,所述濾色層包含紅濾色層、綠濾色層以及藍濾色層,并在空間上與各個顏色的光電二極管分別對應。
10.根據權利要求8所述的方法,其特征在于,每一個凸起區域和凹入區域空間上與紅濾色層、綠濾色層以及藍濾色層分別對應。
11.根據權利要求7所述的方法,其特征在于,所述第一平坦層由有機材料和無機材料中的一種組成。
12.根據權利要求11所述的方法,其特征在于,所述無機材料包含氮化物薄膜和正硅酸乙酯基氧化物薄膜中的一個。
13.根據權利要求11所述的方法,其特征在于,所述有機材料包含光刻膠薄膜。
14.根據權利要求11所述的方法,其特征在于,所述第二平坦層由不同于所述第一平坦層的材料組成。
15.根據權利要求7所述的方法,其特征在于,所述第一平坦層由親水材料組成以及所述第二平坦層由疏水材料組成。
16.根據權利要求7所述的方法,其特征在于,所述第一平坦層由疏水材料組成以及所述第二平坦層由親水材料組成。
17.根據權利要求7所述的方法,其特征在于,所述微透鏡由具有絕緣、光傳輸以及光刻膠屬性的材料組成。
18.根據權利要求7所述的方法,其特征在于,所述凹入區域由不同于所述凸起區域的材料組成。
19.根據權利要求7所述的方法,其特征在于,所述凹入區域由親水材料組成以及所述凸起區域由疏水材料組成。
20.根據權利要求7所述的方法,其特征在于,所述凸起區域由親水材料組成以及所述凹入區域由疏水材料組成。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





