[發明專利]高壓器件的離子注入方法

無效

• 申請號: 200710194883.4
• 申請日: 2007-12-27
• 公開（公告）號: CN101211847A
• 公開（公告）日: 2008-07-02
• 發明（設計）人: 張德基
• 申請（專利權）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L21/8238;H01L21/265;H01L21/266
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐金國

1.一種用于形成高壓器件的離子注入方法，其特征在于，所述方法包括：

在半導體襯底中限定邏輯區域和高壓區域；

在所述半導體襯底上的所述邏輯區域中形成第一柵絕緣層，并在所述半導體襯底上的所述高壓區域中形成第二柵絕緣層，所述第二柵絕緣層厚于所述第一柵絕緣層；

通過將第一導電雜質注入所述半導體襯底的所述邏輯區域和源極區域中而在所述邏輯區域形成空心區域以及在所述高壓區域中形成源極區域；以及

通過將第二導電雜質注入所述半導體襯底的所述邏輯區域中，在所述邏輯區域中形成第二導電雜質層。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導體襯底的所述高壓區域中的所述第二柵絕緣層限定第二導電雜質注入到所述半導體襯底的所述邏輯區域中。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，進一步包括：

在所述邏輯區域中形成第一導電阱區域；以及

在所述高壓區域中形成第二導電阱區域，

其中所述空心區域形成于所述第一導電阱區域中，而所述源極區域形成于所述第二導電阱區域中。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，形成所述空心區域和所述源極區域包括：

形成掩模圖案，其暴露所述邏輯區域中的所述第一導電阱區以及所述高壓區域中的所述第二導電阱區域；以及

通過使用所述掩模圖案作為離子注入掩模而執行傾斜離子注入工藝，注入第一導電雜質。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，形成所述第二導電雜質層包括使用所述掩模圖案作為離子注入掩模，將第二導電雜質注入到所述襯底中。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，將所述第二導電雜質發射到小于所述第二柵絕緣層厚度的深度。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二導電雜質層的所述深度小于所述空心區域的深度。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，將所述第二導電雜質層形成于所述邏輯區域的所述空心區域中。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，其中：

同時使用第一離子注入掩模，邏輯N型金屬氧化物半導體晶體管中的所述空心區域和高壓P型金屬氧化物半導體晶體管中的所述源極區域將同時形成；以及

使用第二離子注入掩模，邏輯P型金屬氧化物半導體晶體管中的所述空心區域和高壓N型金屬氧化物半導體晶體管中的所述源極區域將同時形成。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，進一步包括：

使用所述第一離子注入掩模在所述邏輯N型金屬氧化物半導體晶體管中形成N擴散區域；以及

使用所述第二離子注入掩模在所述邏輯P型金屬氧化物半導體晶體管中形成P擴散區域，

其中，所述第二柵絕緣層防止在所述半導體襯底的所述高壓P型金屬氧化物半導體晶體管和高壓N型金屬氧化物半導體晶體管中的所述源極區域中的離子注入。

11.一種用于形成高壓器件的離子注入方法，其特征在于，所述方法包括：

在半導體襯底中限定邏輯區域和高壓區域；

在所述半導體襯底上在所述邏輯區域中形成第一柵絕緣層，并在所述半導體襯底上在所述高壓區域中形成第二柵絕緣層，所述第二柵絕緣層厚于所述第一柵絕緣層；

通過同時將第一導電雜質注入所述半導體襯底的所述邏輯區域和所述源極區域中，在所述邏輯區域中形成包含N型金屬氧化物半導體晶體管的空心區域以及在所述高壓區域中形成包含P型金屬氧化物半導體晶體管的源極區域；以及

通過將第二導電雜質注入所述半導體襯底的所述邏輯區域中而在所述邏輯區域的所述空心區域中形成第二導電雜質層。

12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，在所述半導體襯底的所述高壓區域中的所述第二柵絕緣層限定所述第二導電雜質注入到所述半導體襯底的所述邏輯區域。

13.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，進一步包括：

在所述邏輯區域中形成第一導電阱區域；以及

在所述高壓區域中形成第二導電阱區域，

其中所述空心區域形成于所述第一導電阱區域中，而所述源極區域形成于所述第二導電阱區域中。