[發(fā)明專利]自旋玻璃存儲單元無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710194780.8 | 申請日： | 2007-12-06 |
| 公開（公告）號： | CN101197188A | 公開（公告）日： | 2008-06-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 揚·鮑里斯·菲利普 | 申請（專利權(quán)）人： | 奇夢達北美公司 |
| 主分類號： | G11C13/00 | 分類號： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 | 代理人： | 余剛;尚志峰 |
| 地址： | 美國北卡*** | 國省代碼： | 美國;US |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 自旋 玻璃 存儲 單元 | ||
1.一種存儲單元，包括：
第一電極；
第二電極；以及
自旋玻璃材料，連接在所述第一電極和所述第二電極之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲單元，還包括：
自旋力矩注入部，連接在所述自旋玻璃材料和所述第一電極之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲單元，其中，所述自旋玻璃材料在有序狀態(tài)中提供第一電阻率，并且在無序狀態(tài)中提供第二電阻率，所述第二電阻率大于所述第一電阻率。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲單元，其中，響應(yīng)于磁場，將所述自旋玻璃材料轉(zhuǎn)變?yōu)樗鲇行驙顟B(tài)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲單元，其中，響應(yīng)于自旋力矩注入，將所述自旋玻璃材料轉(zhuǎn)變?yōu)樗鲇行驙顟B(tài)。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的存儲單元，其中，響應(yīng)于將所述自旋玻璃材料加熱到所述自旋玻璃材料的自旋玻璃溫度之上，將所述自旋玻璃材料轉(zhuǎn)變?yōu)樗鰺o序狀態(tài)。
7.一種存儲器，包括：
多個自旋玻璃存儲單元；以及
用于選擇性地將所述自旋玻璃存儲單元中的每一個寫成有序狀態(tài)和無序狀態(tài)的電路。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲器，其中，每個所述自旋玻璃存儲單元包括：
第一電極；
第二電極；以及
自旋玻璃材料，連接在所述第一電極和所述第二電極之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲器，其中，每個所述自旋玻璃存儲單元還包括：
自旋力矩注入部，連接在所述自旋玻璃材料和所述第一電極之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲器，其中，每個所述自旋玻璃存儲單元的所述自旋玻璃材料在所述有序狀態(tài)中提供第一電阻率，并且在所述無序狀態(tài)中提供第二電阻率，所述第二電阻率大于所述第一電阻率。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲器，其中，響應(yīng)于磁場，將每個所述自旋玻璃存儲單元的所述自旋玻璃材料轉(zhuǎn)變?yōu)樗鲇行驙顟B(tài)。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲器，其中，響應(yīng)于自旋力矩注入，將每個所述自旋玻璃存儲單元的所述自旋玻璃材料轉(zhuǎn)變?yōu)橛行驙顟B(tài)。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的存儲器，其中，響應(yīng)于將每個所述自旋玻璃存儲單元的所述自旋玻璃材料加熱到每個所述自旋玻璃存儲單元的所述自旋玻璃材料的自旋玻璃溫度之上，將每個所述自旋玻璃存儲單元的所述自旋玻璃材料轉(zhuǎn)變?yōu)樗鰺o序狀態(tài)。
14.一種存儲器，包括：
用于根據(jù)有序和無序的自旋玻璃狀態(tài)來存儲數(shù)據(jù)的裝置；
用于對所述用于存儲數(shù)據(jù)的裝置進行訪問的裝置；以及用于對所述用于存儲數(shù)據(jù)的裝置進行編程的裝置。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的存儲器，其中，所述用于編程的裝置包括用于將自旋力矩注入到所述用于存儲的裝置中的裝置。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的存儲器，其中，所述用于編程的裝置包括用于在所述用于存儲的裝置中產(chǎn)生磁場的裝置。
17.一種用于制造存儲單元的方法，所述方法包括：
提供第一電極；
將自旋玻璃材料連接至所述第一電極；以及
將第二電極連接至所述自旋玻璃材料。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，還包括：
將自旋力矩注入部連接在所述自旋玻璃材料和所述第一電極之間。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，連接所述自旋玻璃材料包括連接在有序狀態(tài)中提供第一電阻率并且在無序狀態(tài)中提供第二電阻率的自旋玻璃材料，所述第二電阻率大于所述第一電阻率。
20.一種用于對存儲單元進行編程的方法，所述方法包括：
提供自旋玻璃存儲單元；
選擇性地將第一信號施加給所述存儲單元以將所述存儲單元編程為無序狀態(tài)，以及將第二信號施加給所述存儲單元以將所述存儲單元編程為有序狀態(tài)。
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