[發明專利]半導體器件及樹脂密封型半導體器件

有效

• 申請號: 200710194577.0
• 申請日: 2003-04-12
• 公開（公告）號: CN101197372A
• 公開（公告）日: 2008-06-11
• 發明（設計）人: 田中順;大谷美晴;尾形潔;鈴木康道;堀田勝彥
• 申請（專利權）人: 株式會社日立制作所
• 主分類號: H01L27/088
• 分類號: H01L27/088;H01L23/532;H01L23/485;H01L23/488;H01L23/00;H01L23/58
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 曾祥夌;劉宗杰

1.一種半導體器件，包括：

半導體襯底；

在所述半導體襯底上形成的多個MOS晶體管；

在所述多個MOS晶體管之上形成的雙鑲嵌結構布線的許多層，各層具有在第一絕緣層中形成的第一銅材料布線以及在第二絕緣層中形成的第二銅材料布線，所述第二布線在所述第一布線上且在所述第一絕緣層之上形成；

在所述雙鑲嵌結構布線的最高層之上形成的第三絕緣層；以及

在所述第三絕緣層之上形成的焊盤部；

其中，所述雙鑲嵌結構布線的所述最高層的所述第二絕緣層具有比所述雙鑲嵌結構布線的所述最低層的所述第二絕緣層的介電常數高的介電常數。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述雙鑲嵌結構布線的所述最高層的所述第二絕緣層包含氟摻雜的氧化硅膜。

3.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述雙鑲嵌結構布線的所述最低層的所述第二絕緣層的介電常數低于3。

4.如權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，所述雙鑲嵌結構布線的所述最低層的所述第二絕緣層是多孔氧化硅。

5.如權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，所述雙鑲嵌結構布線的所述最高層的所述第二絕緣層包含氟摻雜的氧化硅膜。

6.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述雙鑲嵌結構布線的各層具有在所述第二絕緣層上形成的第四絕緣層，所述第四絕緣層具有比所述第二絕緣層的介電常數高的介電常數，所述第二布線在所述第四絕緣層中形成。

7.如權利要求6所述的半導體器件，其特征在于，所述第四絕緣層包含碳化硅層。

8.如權利要求7所述的半導體器件，其特征在于，所述雙鑲嵌結構布線的所述最低層的所述第二絕緣層的介電常數低于3。

9.一種半導體器件，包括：

在半導體襯底之上形成的第一絕緣層；

在所述第一絕緣層之上形成的第二絕緣層，具有低于3.0的低介電常數；

第一雙鑲嵌結構布線結構，包括第一銅材料布線和在所述第一布線上形成的第二銅材料布線，所述第一布線在所述第一絕緣層中形成，所述第二布線在所述第二絕緣層中形成；

在所述第二絕緣層之上形成的第三絕緣層；

在所述第三絕緣層之上形成的第四絕緣層；

第二雙鑲嵌結構布線結構，包括第三銅材料布線和在所述第三布線上形成的第四銅材料布線，所述第三布線在所述第三絕緣層中形成，所述第四布線在所述第四絕緣層中形成；

在所述第二雙鑲嵌結構布線結構之上形成的焊盤部；

在所述第四絕緣層上形成的第一聚酰亞胺層，具有使所述焊盤部暴露的第一開口；

重新布線層，電連接到所述焊盤部并從所述第一聚酰亞胺層之上的所述焊盤部延伸；

第二聚酰亞胺層，在所述重新布線層上形成并具有使所述重新布線層暴露的第二開口；

在所述第二開口中形成的下凸點金屬層；以及

在所述下凸點金屬層上形成的焊接凸點；

其中，所述第四絕緣層具有比所述第二絕緣層的介電常數大的介電常數。

10.如權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，所述第四絕緣層包含氟摻雜的氧化硅層。

11.如權利要求9所述的半導體器件，其特征在于，所述第二絕緣層是多孔氧化硅。