[發(fā)明專利]低功率可變增益放大器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710193837.2
• 申請日: 2007-11-26
• 公開（公告）號: CN101202537A
• 公開（公告）日: 2008-06-18
• 發(fā)明（設計）人: 白承昊;黃明運
• 申請（專利權(quán)）人: 慧國（上海）軟件科技有限公司;慧榮科技股份有限公司
• 主分類號: H03G1/04
• 分類號: H03G1/04;H03F3/45;G05F1/46;G05F1/56
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 陳亮

1.一種低功率可變增益放大器，其包含：

負載塊，第一及第二負載電流自第一源電壓流經(jīng)所述負載塊；

第一差分輸入信號源，其包含連接至第二源電壓的端子及連接至可變增益放大塊的另一端子，并吸收對應于第一差分輸入電流信號的值的電流；

第二差分輸入信號源，其包含連接至所述第二源電壓的端子及連接至所述可變增益放大塊的另一端子，并吸收對應于第二差分輸入電流信號的值的電流，所述可變增益放大塊，其因應第一及第二增益控制信號以及所述第一及第二差分輸入電流信號而吸收第一及第二差分輸出電流信號以及第一及第二相消性補償電流信號，其中所述第一及第二差分輸出電流信號分別是所述第一及第二負載電流的分支電流；以及

直流偏壓穩(wěn)定器，其處理所述第一及第二相消性補償電流信號以及第一及第二偏流，以使所述第一及第二負載電流包含固定的直流電流分量，其中所述第一及第二偏流分別是所述第一及第二負載電流的分支電流，

其中被吸收至所述第一及第二差分輸入信號源的所述電流包含直流電流分量及交流電流分量，所述第一與第二差分輸入信號源的所述直流電流分量具有相同的值，且其所述交流電流分量具有180°的相位差。

2.如權(quán)利要求1所述的低功率可變增益放大器，其中所述可變增益放大塊包含：

第一雙極晶體管，其包含用于吸收所述第一差分輸出電流信號的端子、另一端子、以及基極端子，其中所述另一端子連接至所述第一差分輸入信號源的所述另一端子，且所述基極端子被施加所述第一增益控制信號；

第二雙極晶體管，其包含用于吸收所述第一相消性補償電流信號的端子、另一端子、以及基極端子，其中所述另一端子連接至所述第一差分輸入信號源的所述另一端子，且所述基極端子被施加所述第二增益控制信號；

第三雙極晶體管，其包含用于吸收所述第一相消性補償電流信號的端子、另一端子、以及基極端子，其中所述另一端子連接至所述第二差分輸入信號源的所述另一端子，且所述基極端子被施加所述第二增益控制信號；以及

第四雙極晶體管，其包含用于吸收所述第二差分輸出電流信號的端子、另一端子、以及基極端子，其中所述另一端子連接至所述第二差分輸入信號源的所述另一端子，且所述基極端子被施加所述第一增益控制信號。

3.如權(quán)利要求1所述的低功率可變增益放大器，其中所述可變增益放大塊包含：

第一金屬氧化物半導體晶體管，其包含用于吸收所述第一差分輸出電流信號的端子、另一端子、以及門極端子，其中所述另一端子連接至所述第一差分輸入信號源的所述另一端子，且所述門極端子被施加所述第一增益控制信號；

第二金屬氧化物半導體晶體管，其包含用于吸收所述第一相消性補償電流信號的端子、另一端子、以及門極端子，其中所述另一端子連接至所述第一差分輸入信號源的所述另一端子，且所述門極端子被施加所述第二增益控制信號；

第三金屬氧化物半導體晶體管，其包含用于吸收所述第一相消性補償電流信號的端子、另一端子、以及門極端子，其中所述另一端子連接至所述第二差分輸入信號源的所述另一端子，且所述門極端子被施加所述第二增益控制信號；以及

第四金屬氧化物半導體晶體管，其包含用于吸收所述第二差分輸出電流信號的端子、另一端子、以及門極端子，其中所述另一端子連接至所述第二差分輸入信號源的所述另一端子，且所述門極端子被施加所述第一增益控制信號。

4.如權(quán)利要求1所述的低功率可變增益放大器，其中所述直流偏壓穩(wěn)定器包含：

第一偏壓電阻器，其包含一端子以及另一端子，所述端子連接至所述第一偏流所流經(jīng)的節(jié)點，且所述第一相消性補償電流信號流經(jīng)所述另一端子；以及

第二偏壓電阻器，其包含一端子以及另一端子，所述端子連接至所述第二偏流所流經(jīng)的節(jié)點，且所述第二相消性補償電流信號流經(jīng)所述另一端子；

其中所述第一相消性補償電流信號所流經(jīng)的所述節(jié)點與所述第二相消性補償電流信號所流經(jīng)的所述節(jié)點相互連接。