[發明專利]氧化鋅多層片式壓敏電阻的制造方法

無效

• 申請號: 200710193469.1
• 申請日: 2007-11-27
• 公開（公告）號: CN101447265A
• 公開（公告）日: 2009-06-03
• 發明（設計）人: 五味洋二;神崎達也
• 申請（專利權）人: 興亞株式會社
• 主分類號: H01C7/112
• 分類號: H01C7/112;H01C7/108;H01C7/10;H01C17/30
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
• 代理人: 李 帆

1.一種氧化鋅多層片式壓敏電阻的制造方法，其特征在于，按照氧化鋅(ZnO)為100摩爾％和以與其相對的另外加入量計，氧化鉍(Bi₂O₃)為0.1～1.5摩爾％、氧化銻(Sb₂O₃)為0.01～2.0摩爾％、氧化鈷(CoO)和氧化錳(MnO₂)中的1種以上為0.1～1.5摩爾％、氧化鉻(Cr₂O₃)為0.01～2摩爾％、硼酸(H₃BO₃)為0.01～2摩爾％、另外，氧化鋁(Al₂O₃)的濃度為10～1000ppm那樣準備這些原料，

在這些原料中，對含有全部量的氧化鉍(Bi₂O₃)和氧化銻(Sb₂O₃)及0.1～1.0摩爾％的氧化鋅(ZnO)的焙燒原料在700～1000℃的溫度范圍內進行熱處理，

加入該焙燒原料和其它原料，形成坯料片材，

在該坯料片材上形成導電材料糊圖案，將該坯料片材疊層、切斷，形成坯料芯片后，燒成。

2.根據權利要求1所述的氧化鋅多層片式壓敏電阻的制造方法，其特征在于，以相對于氧化鋅(ZnO)100摩爾％的另外加入量計，焙燒原料還含有0.01～0.5摩爾％的氧化鈦(TiO₂)。

3.根據權利要求1所述的氧化鋅多層片式壓敏電阻的制造方法，其特征在于，以相對于氧化鋅(ZnO)100摩爾％的另外加入量計，焙燒原料還含有以A₂B₃(A：稀土類元素、B：氧元素)形式的0.01～0.5摩爾％的稀土類元素(Pr、Y、Nb等)。

4.根據權利要求1所述的氧化鋅多層片式壓敏電阻的制造方法，其特征在于，以相對于氧化鋅(ZnO)100摩爾％的另外加入量計，焙燒原料還含有0.01～0.5摩爾％的氧化硅(SiO₂)。