[發(fā)明專利]多晶硅膜層的制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710193359.5
• 申請(qǐng)日: 2007-12-10
• 公開（公告）號(hào): CN101459145A
• 公開（公告）日: 2009-06-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林宗彥;林合炫;鄭文騰;蔡善宏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 統(tǒng)寶光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/84
• 分類號(hào): H01L21/84
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 任默聞

1.一種多晶硅膜層的制造方法，其特征在于，該方法包括：

形成一多晶硅膜層于一基板上，該多晶硅膜層上定義有復(fù)數(shù)個(gè)源極/漏極區(qū)及復(fù)數(shù)個(gè)通道區(qū)；及

對(duì)所述的多晶硅膜層的所述的通道區(qū)施予氣體等離子體處理。

2.如權(quán)利要求1所述的多晶硅膜層的制造方法，其特征在于，前述氣體等離子體處理步驟使用下列任一種氣體等離子體：N₂O、H₂及NH₃。

3.如權(quán)利要求1所述的多晶硅膜層的制造方法，其特征在于，前述多晶硅膜層形成步驟包含形成一非晶硅薄膜層于所述的基板上及對(duì)該非晶硅薄膜層施予激光退火。

4.如權(quán)利要求2所述的多晶硅膜層的制造方法，其特征在于，前述氣體等離子體處理步驟的控制變因?yàn)闅怏w等離子體壓力、氣體等離子體功率或氣體等離子體處理時(shí)間。

5.如權(quán)利要求4所述的多晶硅膜層的制造方法，其特征在于，所述的氣體等離子體處理時(shí)間為30秒至90秒。

6.如權(quán)利要求1所述的多晶硅膜層的制造方法，其特征在于，可制得一N通道金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管或一P通道金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管，其中，

N通道金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管的啟始電壓V_th為0伏特至3伏特；

P通道金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管的啟始電壓V_th為-3伏特至0伏特。

7.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，該方法包括：

形成一多晶硅膜層于一基板上，該多晶硅膜層上定義有復(fù)數(shù)個(gè)源極/漏極區(qū)及復(fù)數(shù)個(gè)通道區(qū)；及

對(duì)該多晶硅膜層的所述的通道區(qū)施予氣體等離子體處理。

8.如權(quán)利要求7所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，該方法還包含形成一柵極絕緣層于所述的通道區(qū)上方及復(fù)數(shù)個(gè)柵極電極于該柵極絕緣層上方并分別對(duì)應(yīng)每一通道區(qū)。

9.一種電子裝置，其特征在于，該電子裝置包含：

一影像顯示設(shè)備包含如權(quán)利要求第8項(xiàng)所述的多晶硅膜陣列基板；及

一輸入單元，耦接所述的影像顯示設(shè)備，且通過所述的輸入單元傳輸信號(hào)至所述的影像顯示設(shè)備，以控制該影像顯示設(shè)備顯示影像。

10.如權(quán)利要求9所述的電子裝置，其特征在于，該電子裝置為一移動(dòng)電話、數(shù)字相機(jī)、個(gè)人助理、筆記本電腦、桌面計(jì)算機(jī)、電視、車用顯示器、全球定位系統(tǒng)、航空用顯示器或便攜式DVD播放器。