[發明專利]島狀突起修飾部件及其制造方法和采用它的裝置有效
| 申請號: | 200710193357.6 | 申請日: | 2003-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN101174553A | 公開(公告)日: | 2008-05-07 |
| 發明(設計)人: | 高橋小彌太;向后雅則;松永修 | 申請(專利權)人: | 東曹株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/3065;C23C16/44;C23C14/22 |
| 代理公司: | 北京紀凱知識產權代理有限公司 | 代理人: | 龍淳 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 突起 修飾 部件 及其 制造 方法 采用 裝置 | ||
1.一種島狀突起修飾部件,用于成膜裝置或者等離子體處理裝置,其中,在部件的基材上,具有寬度在5~300μm的范圍內、高度在2~200μm的范圍內的島狀突起,該島狀突起由玻璃形成,其形狀呈球狀、球殘缺的形狀、半球狀、吊鐘形,或山形狀,或者這些形狀的兩種以上的混合,該島狀突起的整體形狀帶有球體,各突起在基材上孤立,沒有通過相互連接整體上形成膜,并且島狀突起的個數在20~5000個/mm2的范圍內。
2.根據權利要求1所述的島狀突起修飾部件,其特征在于,
形成島狀突起的玻璃為石英玻璃。
3.根據權利要求1所述的島狀突起修飾部件,其特征在于,
島狀突起利用噴涂法形成。
4.根據權利要求1所述的島狀突起修飾部件,其特征在于,
島狀突起沒有銳角部分。
5.根據權利要求1所述的島狀突起修飾部件,其特征在于,
島狀突起的大小為寬度在10~150μm、高度在5~100μm。
6.根據權利要求1所述的島狀突起修飾部件,其特征在于,
島狀突起的大小為寬度在10~80μm、高度在5~100μm。
7.根據權利要求1所述的島狀突起修飾部件,其特征在于,
島狀突起的個數是50~1000個/mm2。
8.根據權利要求1所述的島狀突起修飾部件,其特征在于,
島狀突起的高度和寬度的比的平均值為0.3~1.5。
9.根據權利要求1所述的島狀突起修飾部件,其特征在于,
島狀突起形成于在基材上形成的玻璃噴涂膜上。
10.根據權利要求9所述的島狀突起修飾部件,其特征在于,
玻璃噴涂膜的膜厚是100~1000μm。
11.根據權利要求9所述的島狀突起修飾部件,其特征在于,
玻璃噴涂膜沒有100μm以上的空洞,而且玻璃噴涂膜的表面粗糙度Ra為1~5μm。
12.根據權利要求9所述的島狀突起修飾部件,其特征在于,
玻璃噴涂膜是石英玻璃。
13.根據權利要求1所述的島狀突起修飾部件,其特征在于,
形成有島狀突起的表面是暴露于成膜氣氛或者等離子體處理氣氛的表面。
14.一種權利要求1~13中的任何一項所述的島狀突起修飾部件的制造方法,其特征在于,相對基材或形成于基材上的玻璃噴涂膜的表面,按照突起形成原料供給量相對該表面的表面積而在1~20mg/cm2的范圍內的方式,進行等離子體噴涂,從而設置島狀突起。
15.根據權利要求14所述的島狀突起修飾部件的制造方法,其特征在于,
突起形成原料供給量相對該表面的表面積而在5~10mg/cm2。
16.根據權利要求14所述的島狀突起修飾部件的制造方法,其特征在于,
突起形成原料粉末的粒徑是平均粒徑為10~100μm。
17.根據權利要求14所述的島狀突起修飾部件的制造方法,其特征在于,
在將突起形成原料粉末供給到在基材或者基材上形成有的玻璃噴涂膜的表面之前,預熱該表面。
18.根據權利要求14所述的島狀突起修飾部件的制造方法,其特征在于,
形成島狀突起后進行熱處理。
19.根據權利要求14所述的島狀突起修飾部件的制造方法,其特征在于,
形成島狀突起后進行酸清洗。
20.一種薄膜形成裝置,其特征在于,采用權利要求1~13中的任何一項所述的島狀突起修飾部件。
21.一種等離子體蝕刻裝置,其特征在于,將通過權利要求1~13中的任何一項所述的島狀突起修飾部件用于因進行等離子體蝕刻而膜進行堆積或被蝕刻的部分。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





