[發明專利]比較器

無效

• 申請號: 200710193328.X
• 申請日: 2007-12-03
• 公開（公告）號: CN101207375A
• 公開（公告）日: 2008-06-25
• 發明（設計）人: 藤原正勇;中村健哉
• 申請（專利權）人: 羅姆股份有限公司
• 主分類號: H03K5/08
• 分類號: H03K5/08
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 李貴亮

技術領域

[0001]

本發明涉及帶偏置的比較器。

背景技術

[0002]

在現有技術中，按照輸入電壓Vinp、Vinn的差值(Vinp-Vinn)或大于或小于規定的偏置電壓Voffset，將其輸出邏輯COMP-OUT變化成高電平及低電平中的某一個的帶偏置的比較器，被用于各種用途(參照圖5)。

[0003]

此外，作為實現上述偏置的手法的一個例子，人們想出來根據所需的偏置電壓Voffset，有意識地打破構成比較器的輸入級的差動對(參照圖6的晶體管104、105)的平衡。

[0004]

另外，如圖7所示，還想出來使用減法電路(電阻203～206及放大器207)，求出輸入電壓Vinp、Vinn的差值Vo(＝Vinp-Vinn)，將它輸入比較電路208，和規定的基準電壓Vref(相當于偏置電壓Voffset)進行比較的結構。此外，對于構成上述減法電路的電阻203～206的各電阻值，設定成為滿足關系式Rb/Ra＝Rd/Rc的電阻值(例如Ra＝Rb＝Rc＝Rd)。

[0005]

另外，作為上述有關的現有技術的一個例子，日本國特開平6-53299號公報公開了將電流檢出電阻的兩端電壓，輸入差動放大電路，用比較器將該輸出電壓和基準電壓(電流設定值)進行比較，從而進行過電流檢出的技術。

[0006]

的確，采用上述現有技術的結構，能夠很容易地實現帶偏置的比較器。

[0007]

可是，在打破圖6所示的晶體管104、105的平衡的結構中，對元件的制造離差(不一致性)及溫度變化的適應能力差，在偏置電壓Voffset中產生±50％以上的離差，所以不能夠在標準嚴格的設定(例如容許離差為±40％以下)中使用。此外，作為構成比較器的輸入級的差動對，若采用使用了P溝道型、N溝道型兩者的軌對軌(即滿擺幅＝Rail?to?Rail)方式時，雖然能夠擴大比較器的輸入動態范圍，但是卻不能夠減少上述偏置電壓Voffset中的離差。

[0008]

另外，在圖7所示的比較器中，對于構成減法電路的電阻203～206，如果用實際的器件能夠足以(例如±5％以下)實現所需的電阻比，就不會產生多大的問題。但是要想裝入元件以便將電阻比的相對離差減少到±5％以下，這在現實上卻不能不說非常困難。而且，電阻比相對性的成為±5％的離差時，在圖7所示的比較器中，其電路結構在最壞情況時，輸入電壓Vinp、Vinn的差值Vo產生±20～30％的離差，與基準電壓Vref的離差(±10％左右)加起來，偏置電壓Voffset有可能產生30～40％左右的離差。因此，鑒于今后將越來越嚴格的設定要求，圖7所示的現有技術的結構就未必夠用，需要實現進一步降低離差。

發明內容

[0009]

本發明就是針對上述情況研制的，其目的在于提供能夠大大減少偏置電壓的離差的帶偏置的比較器。

[0010]

為了實現上述目的，本發明涉及的比較器，具有以下結構：偏置設定部，該偏置設定部決定偏置電壓；偏置減法部，該偏置減法部從非倒相輸入電壓減去所述偏置電壓；比較部，該比較部按照所述偏置減法部的輸入電壓和倒相輸入電壓的高低，變化輸出邏輯。

[0011]

本發明的其它特征、要素、步驟、優點及特性，在以下結合附圖的優選實施方式的說明中，可進一步明確。

附圖說明

[0012]

圖1是表示本發明涉及的比較器的第1實施方式的電路圖。

圖2是表示本發明涉及的比較器的第2實施方式的電路圖。

圖3A～圖3D是用于說明偏置電壓Voffset舉動的圖。

圖2是表示本發明涉及的比較器的第3實施方式的電路圖。

圖5是帶偏置比較器的框圖。

圖6是帶偏置比較器的現有技術電路圖。

圖7是另一帶偏置比較器的現有技術電路圖。

具體實施方式

[0013]

首先，參照圖1，詳細講述本發明涉及的比較器的第1實施方式。

[0014]

圖1是表示本發明涉及的比較器的第1實施方式的電路圖。

[0015]

如該圖所示，本實施方式的比較器，具有偏置設定部1、緩沖器部2、緩沖器部3、偏置減法部4、比較部5。

[0016]