[發(fā)明專利]半導體裝置及半導體裝置的制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710193327.5
• 申請日: 2007-12-03
• 公開（公告）號: CN101192583A
• 公開（公告）日: 2008-06-04
• 發(fā)明（設計）人: 阪本達哉
• 申請（專利權）人: 羅姆股份有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L21/50;H01L21/60
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 李貴亮

1.一種半導體裝置，其特征在于，具備：

半導體芯片，其具有在規(guī)定位置處配置有外部連接用電極的層間膜；

再配線，其與所述電極導通，且設置在所述層間膜上；

絕緣層，其覆蓋所述再配線；

突起，其經(jīng)由在所述絕緣層上形成的開口，與所述再配線導通；

焊料端子，其設置在所述突起上，

在所述絕緣層上設置感光性樹脂膜，利用所述感光性樹脂膜覆蓋所述層間膜的外周緣。

2.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

在所述半導體芯片的外周緣上設置使與所述層間膜相對的背面?zhèn)鹊耐庵芫壉人鰧娱g膜側的外周緣向外側更突出的階梯部，

所述半導體芯片的所述層間膜側的外周緣被所述感光性樹脂膜覆蓋。

3.根據(jù)權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

覆蓋所述半導體芯片的所述層間膜側的外周緣的所述感光性樹脂膜的厚度尺寸小于與所述層間膜相對的背面?zhèn)鹊耐庵芫壍耐怀龀叽纭?/p>

4.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

通過使所述感光性樹脂膜的上表面的高度低于所述突起的上表面的高度，所述突起從所述感光性樹脂膜突出。

5.一種半導體裝置的制造方法，所述半導體裝置在由位置線劃分的、晶片上的各半導體芯片的形成區(qū)域上設置層間膜，并在所述層間膜上設置再配線，所述再配線與所述半導體芯片中的外部連接用的電極連接，并在所述再配線的規(guī)定位置處設置電連接的突起，

所述半導體裝置的制造方法的特征在于，具有：

在形成所述突起后，在所述晶片上，沿所述位置線形成槽的工序；

在形成有所述槽的所述晶片上，形成感光性樹脂膜的工序；

將所述感光性樹脂膜圖案化，并在所述突起上的所述感光性樹脂膜上形成開口的工序；

利用灰化，使所述感光性樹脂膜薄膜化的工序；

在所述突起上形成焊料端子的工序；

在所述槽內(nèi)形成比所述槽的寬度窄的切斷槽，并對所述晶片進行切割的工序。

6.根據(jù)權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其特征在于，

在將所述感光性樹脂膜圖案化的工序中，去除所述突起上的所述感光性樹脂膜，并去除所述槽內(nèi)的所述感光性樹脂膜，在所述槽內(nèi)形成寬度窄于所述槽的寬度，但寬于所述切斷槽的寬度的所述感光性樹脂膜的蝕刻槽，

在所述切割中，在所述蝕刻槽內(nèi)形成所述切斷槽。